研究目的
研究无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中的潜力，重点关注增强型氧化锌TFTs。
研究成果
该研究表明无序金属氧化物半导体在高性能源应用方面具有潜力，其中氧化锌薄膜晶体管（ZnO TFTs）在直流和射频开关应用中展现出前景。通过进一步提升迁移率和优化器件尺寸，有望增强其性能表现。
研究不足
该研究受限于当前氧化锌薄膜晶体管（ZnO TFTs）的制造工艺和材料特性，在迁移率和器件尺寸缩放方面具有优化潜力。
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[2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案
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DOI：10.1109/apusncursinrsm.2019.8888351
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。
作者：
Michael L. Schuette，Andrew J. Green，Kevin Leedy，Antonio Crespo，Stephen E. Tetlak，Karynn A. Sutherlin，Gregg H. Jessen
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