研究目的
通过去润湿自组装研究InSe层状半导体晶体(0001)表面铟纳米结构的形成
研究成果
InSe（0001）表面通过去润湿作用为铟纳米结构的自组装提供了有效模板，其形貌与排列受表面六方晶格对称性的影响。该方法为构建基于金属-半导体异质纳米体系的功能器件开辟了新途径。
研究不足
该研究的局限性在于去润湿过程所需的特定条件，包括铟沉积速率和退火温度。研究还指出超高真空环境中残余气体对表面纳米结构形成的潜在影响。
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InSe(0001)表面自组装铟纳米结构的形成
DOI：10.1007/s13204-020-01421-y
期刊：Applied Nanoscience
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
二维层状晶体的表面由于去润湿效应，成为金属纳米结构自组装最具前景的模板之一。通过扫描隧道显微镜/谱（STM/STS）和低能电子衍射对作为拓扑模板的初始InSe（0001）表面进行了表征。研究发现，用于纳米结构形成过程的InSe（0001）表面是一个覆盖着三角形位点阵列的模板。本文展示了在InSe层状半导体晶体（0001）表面形成铟纳米结构的STM/STS研究结果。铟被热沉积在原位获得的结构完美的InSe晶体解理面上。几何上高度不均匀的初始（0001）InSe表面通过激活去润湿现象，导致沉积的铟纳米结构形成0维三角形核。由于去润湿过程，所获得的空间平均I-V曲线的STS结果使其依赖性从半导体特性转变为几乎金属特性。此外，形成的铟纳米结构的空间排列受到InSe表面宏观尺度六方晶格对称性的影响。
作者：
P. V. Galiy，T. M. Nenchuk，A. Ciszewski，P. Mazur，Ya. M. Buzhuk，O. V. Tsvetkova
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