研究目的
研究采用短腔设计(25和50微米)的法布里-珀罗量子阱激光器在高速光通信应用中的性能表现。
研究成果
我们报道了具有毫瓦级输出功率的超短腔半导体激光器的制备。所制备的25微米和50微米腔长器件在65oC温度和25 Gb/s调制速率下展现出令人满意的高速特性,获得了超过25 dB的边模抑制比。分析表明短腔器件的高内部损耗值可能与工艺和解理工艺波动有关。通过电流相关的弛豫振荡频率提取的调制效率高达3.94 GHz/(mA)^0.5。这种受小量子阱激光器启发的尺寸缩减技术,对未来高度集成的光子电路具有重要意义。
研究不足
该类器件在晶圆上的单模良率约为4%。当器件受到调制时,单模不再存在,所获得的光谱与多模激光器相似。
1:实验设计与方法选择:
采用干法刻蚀与解理面工艺制备短腔长(25和50微米)法布里-珀罗量子阱激光器
2:样本选择与数据来源:
测试了腔长为25、50、75和100微米的器件
3:75和100微米的器件
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:InP衬底、InAlGaAs量子阱、InGaAsP湿法刻蚀阻挡层、SiO2介质隔离层、Ti/Au金属层
4:实验流程与操作步骤:
包含湿法刻蚀、光刻和金属化的标准半导体工艺流程,通过BCl3基混合气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀形成端面
5:数据分析方法:
测量输出功率、光谱性能、边模抑制比(SMSR)及高速调制特性
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