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[电气工程讲义] 工程振动、通信与信息处理 第478卷（ICoEVCI 2018，印度）|| 面向紫外应用的AlGaN量子阱异质结构优化

DOI：10.1007/978-981-13-1642-5_2 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 本文报道了由50纳米厚AlGaN量子阱（QW）夹在两层AlN材料之间构成的AlN/AlGaN/AlN纳米尺度异质结构中存在紫外（UV）光学增益。该设计的异质结构为一型结构，假设生长在GaN衬底上。利用k·p方法对该异质结构的光学增益进行了优化。模拟结果表明，AlGaN量子阱异质结构中的峰值光学增益位于约2400埃（紫外区域），其数量级约为760 cm?1，这证明了AlN/AlGaN/AlN异质结构作为紫外辐射源的潜力。
作者： Richa Dolia，M. Abu-Samak，P. A. Alvi
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研究概述 实验方案

研究目的

专注于氮化铝/氮化镓铝/氮化铝纳米异质结构沿能带图及其相关波函数、色散曲线和增益谱的数值模拟与分析，用于紫外应用。

研究成果

借助6×6 Kohn-Luttinger哈密顿量，已对AlN/AlGaN/AlN纳米尺度异质结构的光学增益进行了优化。根据研究结果发现，在能量约5.165电子伏特、波长约2400埃的条件下，峰值光学增益达到~700 cm?1量级。因此，所设计的AlN/AlGaN/AlN纳米异质结构可作为紫外辐射源使用。

研究不足

通过增加二维载流子注入浓度，可以增强该异质结构的光学增益。

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