研究目的
研究优化钝化层对GaN基微发光二极管(micro-LEDs)漏电特性和效率的影响。
研究成果
研究发现,与单一的PECVD-SiO2钝化层相比,ALD-Al2O3/PECVD-SiO2双层钝化层能更有效地降低侧壁损伤引起的漏电流,并提升微LED的外量子效率。这表明ALD与PECVD技术的结合可作为微LED制备的高效钝化策略。
研究不足
该研究聚焦于钝化层对特定尺寸和材料微LED的影响,可能限制研究结果对其他类型或尺寸LED的普适性。沉积技术(原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积)在可扩展性或成本方面也可能存在特定限制。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用原子层沉积(ALD)制备Al2O3钝化层和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备SiO2钝化层,以探究其对微LED性能的影响。
2:样品选择与数据来源:
使用不同尺寸的InGaN基微LED,钝化层分别为ALD-Al2O3(50 nm)/PECVD-SiO2(250 nm)和PECVD-SiO2(300 nm)。
3:实验设备与材料清单:
采用高电流源测量单元测试I-V特性,使用发射显微镜(PHEMOS-1000,滨松光子学)观察漏电点。
4:实验步骤与操作流程:
对样品进行清洗,沉积钝化层后,表征其电流密度-电压特性和外量子效率(EQE)。
5:数据分析方法:
通过计算理想因子分析微LED的漏电行为和效率。
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