研究目的
提出并实验验证一种基于亚波长光栅（SWG）结构的硅基片上高阶模（解）复用器，以提升未来光网络的传输容量。
研究成果
基于亚波长光栅定向耦合器（DCs）的单偏振11模式硅基（解）复用器实现了所有11个通道的低串扰和低插入损耗，在硅芯片上展示了最高阶模式（解）复用技术。该器件对波导宽度变化具有耐受性，具备进一步优化潜力，可应用于提升传输容量的扩展场景。
研究不足
相对较高的插入损耗主要可归因于制造工艺导致的模式耦合条件不完善，通过提高制造精度可进一步降低该损耗。
该方法通过亚波长光栅（SWG）结构设计模式（解）复用器，以支持TE偏振光（TE0至TE10）的11模式（解）复用。该器件包含三个定向耦合器和七个基于SWG的定向耦合器。设计过程包括计算条形波导中本征模的有效折射率和SWG波导中的布洛赫模、为SWG波导选择合适的占空比，并通过三维时域有限差分法（3D-FDTD）优化间隙和耦合长度。该器件在绝缘体上硅（SOI）晶圆上制造，并使用可调谐连续波（CW）激光器和光功率计进行表征。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Tunable continuous wave laser
81960A
Keysight
Characterizing the devices
立即获取同款设备 -
Optical power meter
N7744A
Keysight
Characterizing the devices
立即获取同款设备
-
E-beam lithography
EBPG-5200+
Vistec
Defining the devices on a SOI wafer
暂无现货
预约到货通知
-
Inductively coupled plasma
SPTS
ICP
Etching the defined devices
暂无现货
预约到货通知
-
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Oxford
PECVD
Depositing a 1-μm-thick SiO2 cladding layer
暂无现货
预约到货通知
-
Scanning electron microscope
ZEISS
SEM
Imaging the fabricated devices
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部
