研究目的
研究具有亚微秒级切换时间和低功耗的4位数字硅光子MEMS移相器性能。
研究成果
设计并演示了一种基于MEMS的4位数字硅光相位调制器,其相位调节范围为(1/8)至15(1/8),以(1/8)为离散步长进行调节,响应速度低于微秒级。该数字相位调制器具有低光学插入损耗且无需直流功耗维持相位偏移。
研究不足
界面处的突变折射率变化会导致损耗,采用绝热过渡结构可进一步降低该损耗。马赫-曾德尔干涉仪中分束器分光比的设计误差会影响测量精度。
研究目的
研究具有亚微秒级切换时间和低功耗的4位数字硅光子MEMS移相器性能。
研究成果
设计并演示了一种基于MEMS的4位数字硅光相位调制器,其相位调节范围为(1/8)至15(1/8),以(1/8)为离散步长进行调节,响应速度低于微秒级。该数字相位调制器具有低光学插入损耗且无需直流功耗维持相位偏移。
研究不足
界面处的突变折射率变化会导致损耗,采用绝热过渡结构可进一步降低该损耗。马赫-曾德尔干涉仪中分束器分光比的设计误差会影响测量精度。
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