研究目的
研究应变效应对转移到玻璃衬底上的高掺杂n型单晶立方碳化硅(3C-SiC)电学特性的影响,用于机械传感器和迁移率提升。
研究成果
研究表明,n型3C-SiC材料在[100]纵向方向上呈现出约-8.6的负应变灵敏系数,该结果与基于电子转移效应的理论分析相符。这一发现为恶劣环境中的MEMS应用及生物传感开辟了新途径。
研究不足
该研究聚焦于高掺杂n型3C-SiC及其在应变下的压阻效应,未探讨对其他掺杂类型或材料的适用性。
研究目的
研究应变效应对转移到玻璃衬底上的高掺杂n型单晶立方碳化硅(3C-SiC)电学特性的影响,用于机械传感器和迁移率提升。
研究成果
研究表明,n型3C-SiC材料在[100]纵向方向上呈现出约-8.6的负应变灵敏系数,该结果与基于电子转移效应的理论分析相符。这一发现为恶劣环境中的MEMS应用及生物传感开辟了新途径。
研究不足
该研究聚焦于高掺杂n型3C-SiC及其在应变下的压阻效应,未探讨对其他掺杂类型或材料的适用性。
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