研究目的
研究单晶硅纳米磨削过程中残余应力的产生与分布。
研究成果
研究表明，单晶硅在纳米磨削过程中的残余应力受相变和体积收缩的影响?；赟toney公式和分子动力学模拟结果的理论模型为压应力的分布提供了见解。
研究不足
该研究聚焦于纳米研磨工艺及其对单晶硅的影响，可能限制了其适用于其他材料或研磨技术。理论模型可能未充分考虑影响残余应力的所有因素。
1：实验设计与方法选择：
研究采用阶梯式湿法刻蚀和共聚焦激光显微拉曼光谱来检测相变和残余应力分布。
2：样本选择与数据来源：
使用原始单晶（100）硅片进行研磨实验。
3：实验设备与材料清单：
金刚石杯型砂轮、晶圆研磨机（CETC JB-802）、扫描白光干涉仪（WLI；Contour GTK-0）、激光显微拉曼共聚焦光谱仪（Renishaw InVia-Re?ex）。
4：2）、扫描白光干涉仪（WLI；Contour GTK-0）、激光显微拉曼共聚焦光谱仪（Renishaw InVia-Re?ex）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过粗磨和精磨砂轮对晶圆进行减薄，随后采用阶梯式湿法刻蚀测量不同深度的残余应力。
5：数据分析方法：
利用MATLAB软件对拉曼光谱进行拟合分析，并基于拉曼位移计算残余应力。
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获取完整内容-
Diamond cup-type grinding wheel
Used for grinding silicon wafers to desired thickness.
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Wafer grinder
CETC JB-802
Conducts wafer grinding experiments.
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Scanning white light interferometers
Contour GTK-0
Measures the depth of etching with high accuracy.
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Laser micro-Raman confocal spectroscopy
Renishaw InVia-Re?ex
Renishaw
Characterizes the phase of silicon and residual stress.
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