研究目的
研究电子束蒸发制备的ZnSe薄膜的退火温度依赖光学特性。
研究成果
研究得出结论，退火温度显著影响ZnSe薄膜的光学特性，包括折射率、厚度和光学带隙。该发现对光电子学应用具有积极意义。
研究不足
该研究重点关注退火温度对光学性能的影响，但沉积速率和基底类型等其他因素也可能影响结果。
1：实验设计与方法选择：
采用电子束蒸发技术沉积ZnSe薄膜，并在氮气环境中进行不同温度的退火处理。通过X射线衍射进行结构分析，利用透射光谱分析评估光学性能。
2：样品选择与数据来源：
以高纯度ZnSe颗粒为起始材料，分别在N型硅和石英衬底上沉积薄膜。
3：实验设备与材料清单：
电子束蒸发设备（EVA450，Alliance Concept）、高纯度ZnSe颗粒（99.99%，Loyal Target Technology）、X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）、紫外-可见-近红外扫描分光光度计（UV-3101PC）。
4：99%，Loyal Target Technology）、X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）、紫外-可见-近红外扫描分光光度计（UV-3101PC）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：沉积ZnSe薄膜后，在不同温度下退火，随后对其结构和光学性能进行表征。
5：数据分析方法：
采用Swanepoel包络法计算光学参数，使用Wemple-DiDomenico单振子模型分析色散参数。
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X-ray diffraction
Bruker D8 ADVANCE
Bruker
Structural analysis of thin films
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E-beam evaporation equipment
EVA450
Alliance Concept
Deposition of ZnSe thin films
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High-purity ZnSe particles
Loyal Target Technology
Starting material for thin film deposition
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UV-vis-NIR scanning spectrophotometer
UV-3101PC
Optical properties analysis
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