研究目的
研究Zn1-(y+x)(Alx,Euy)O薄膜背栅电压(VBG)依赖的电导率及Eu掺杂对电学性能的影响。
研究成果
研究表明，氧化锌薄膜中铕掺杂会显著影响其在背栅电压下的电导率，其中1摩尔%铕掺杂时观测到最大的电导率变化。该效应随铕浓度增加而减弱，在超过5摩尔%的浓度下完全消失。
研究不足
该研究仅限于背栅电压对掺杂Eu和Al的ZnO薄膜电导率的影响。随着Eu浓度升高（>5 mol%），对背栅电压的响应逐渐减弱。
背栅电压对Zn<sub>1-(y+x)</sub>(Al<sub>x</sub>,Eu<sub>y</sub>)O薄膜电输运特性的影响
DOI：10.1088/2053-1591/aadb0c
期刊：Materials Research Express
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们研究了Zn1-(y+x)(Alx,Euy)O（x=0.00,0.01；y=0.00,0.01,0.02和0.05）薄膜的背栅电压（VBG）依赖性电导率。这些薄膜采用溶胶-凝胶与旋涂技术相结合的方法合成。通过监测掺铕(Zn,Al)O薄膜的纵向电导率曲线来测量其电导率变化。实验显示，施加±VBG会导致掺铕(Zn,Al)O薄膜的电导率急剧下降或上升——这种效应在掺铝ZnO薄膜中未观察到。其中(Eu)在(Zn,Al)O晶格中的含量是调控±VBG引起电导率变化的关键参数。当施加±VBG时，1摩尔%铕掺杂的Zn1-(y+0.01)(Al0.01,Euy)O薄膜表现出最大的电导率增幅，在无VBG条件下也具有最高的纵向电导率。当VBG=-100V时，1摩尔%铕掺杂(Zn,Al)O薄膜的电导率变化率达到436%。随着晶格中铕含量的增加，对VBG的响应显著降低，且5摩尔%铕掺杂(Zn,Al)O薄膜未观测到电导率变化。
作者：
G?khan Algün，Nam?k Ak?ay，Satoru Kaneko，Musa Mutlu Can
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