研究目的
研究塑料衬底上有机薄膜晶体管阵列用低温固化栅极绝缘层的均匀绝缘性能。
研究成果
在130°C低温下固化的交联PHI材料在完成制备工艺后展现出优异的大面积绝缘性能?；谡庖怀晒?，我们成功在PEN基板上以130°C低温制备了喷墨打印OTFT阵列，并演示了一款具有98 dpi高分辨率的4.8英寸EPD显示屏。
研究不足
在PEN衬底上制备的OTFT阵列迁移率较低，可能归因于低温沉积的SiO2介电层具有较高的表面粗糙度。
1：实验设计与方法选择：
本研究提出了一个独立评估平台，用于确认光刻工艺后有机栅极介电层的绝缘性能。采用由聚羟基酰亚胺（PHI）和2,2'-双(4-(2-(乙烯氧基)乙氧基)苯基)丙烷（BPA-DEVE）组成的聚合物栅极介电材料，该材料可在130°C的低温下固化。
2：样品选择与数据来源：
使用基于噻吩-噻唑的共聚物半导体P(8T2Z-co-6T2Z)-12作为活性层。
3：实验设备与材料清单：
将溶解于环己酮的PHI和BPA-DEVE旋涂并在130°C的热板上固化10分钟，形成厚度为500纳米的栅极介电层。
4：实验步骤与操作流程：
制备了三种不同器件：原始薄膜上的金属-绝缘体-金属（MIM）结构、评估平台和薄膜晶体管阵列。
5：数据分析方法：
测量了评估平台中十二个子区域里六个区域的漏电流密度。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
poly(hydroxy imide) (PHI)
Gate dielectric material
-
2,2'-bis(4-(2-(vinyloxy)ethoxy)phenyl)propane (BPA-DEVE)
Cross-linker for PHI
-
P(8T2Z-co-6T2Z)-12
SAIT-Samsung Electronics
Active layer semiconductor
-
Litrex printer
Litrex
Inkjet printing of polymer semiconductor
-
BAKER PRS-2000? Stripper
PRS-2000
BAKER
Removing remaining photoresist
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部
