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采用砷化镓异质结双极晶体管技术实现的高线性度、8 GSa/s采样保持放大器

DOI:10.1587/elex.15.20180946 期刊:IEICE Electronics Express 出版年份:2018 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: 本文提出了一种高线性度全差分8 GSa/s采样保持放大器(THA)。该THA采用2μm砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺设计与实现,旨在GHz级时钟频率下实现采样系统的高速运行。该THA采用替代开关射极跟随器(SEF)作为开关级,并配合肖特基二极管以增强保持模式隔离度和高速性能。结合精心设计的输入缓冲器,实现了高线性度和优异的动态性能。实测小信号-3dB带宽和保持模式隔离度分别优于3.6GHz和40dB。原型电路在0.5GHz时获得43.9dB的无杂散动态范围(SFDR),在4GHz第一奈奎斯特频率内总谐波失真(THD)平均低于-40dBc。该成果有望应用于未来直接采样系统中的宽带、高速、低失真模数转换器(ADC)。
作者: Shaojun Li,Hongliang Lv,Yimen Zhang,Yuming Zhang,Yue Wu,Muhammad Asif
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研究概述 实验方案 设备清单

研究采用2微米砷化镓异质结双极晶体管工艺设计并实现高线性度全差分8 GSa/s采样保持放大器(THA),以实现GHz时钟频率下采样系统的高速运行。

本研究采用砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)技术研制了一款高线性度、8 GSa/s采样率的跟踪保持放大器(THA),展现出较宽的带宽和高线性性能。通过选用肖特基二极管作为THA的开关元件,实现了高保持模式隔离度和高速运行。研究探讨并基于非线性分析设计了一款低失真输入缓冲器。与现有技术相比,最终实测结果表明该器件具有高采样率、宽动态范围、良好线性度及较宽输入带宽等优势。

该原型采用2微米砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺实现,与磷化铟(InP)、锗硅(SiGe)及先进CMOS等更先进工艺相比可能存在局限性。

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