研究目的
研究溅射沉积Ga2O3薄膜的物理、结构、化学、光学和机械性能，特别是生长温度对这些性能的影响。
研究成果
通过改变衬底温度（从室温至800°C），在Si(100)和石英基底上溅射沉积了Ga2O3薄膜。结果表明：在Ts=RT-400°C条件下沉积的Ga2O3薄膜呈非晶态，而Ts≥500°C时沉积的薄膜为具有稳定β相的纳米晶结构。Ga2O3薄膜的结构、光学性能与力学行为之间的函数关系，可作为制备满足特定技术应用需求材料的路线图。
研究不足
本研究仅限于生长温度对溅射沉积Ga2O3薄膜性能的影响，未探讨其他沉积参数（如溅射功率和气体压力）的潜在影响。
1：实验设计与方法选择：
采用射频磁控溅射法在硅（Si）晶圆和石英衬底上沉积Ga2O3薄膜，研究了衬底温度（Ts）对Ga2O3薄膜性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
薄膜在不同温度范围（25-800°C）下沉积制备。
3：实验设备与材料清单：
射频磁控溅射系统、Ga2O3靶材（Plasmaterials公司）、硅（Si）晶圆、石英衬底。
4：实验流程与操作步骤：
沉积过程持续30分钟，薄膜厚度范围为40-33纳米。整个沉积过程中保持衬底旋转以确保表面均匀覆盖。
5：数据分析方法：
通过卢瑟福背散射光谱（RBS）测定薄膜成分，采用X射线光电子能谱（XPS）分析化学组成，分别利用X射线衍射（XRD）和分光光度法进行结构与光学特性测量。
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Spectroscopic ellipsometer
J.A. Woollam vertical variable-angle spectroscopic ellipsometer
J.A. Woollam Co
Used to probe the optical properties and surface/interface characteristics of Ga2O3 films.
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Ga2O3 target
2 in. diameter
Plasmaterials Inc.
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Used for the deposition of Ga2O3 films.
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X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) system
Physical Electronics PHI 5700
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Cary 5000
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