研究目的
研究用于高精度直接键合应用(包括III-V/Si、2.5D/3D/扇出集成)的紫外辅助晶圆上芯片直接转移键合(CoW DTB)技术。
研究成果
所提出的紫外辅助CoW DTB技术为高精度键合应用(包括III-V/Si及2.5D/3D/扇出集成)提供了一种新方法。实验结果为设备/材料设计提供了指导方针,并强调了实现稳定芯片转移需要优化的关键参数。该工艺有望适用于各类需要高精度、高密度互连的集成技术。
研究不足
该研究指出,需要控制载体片上的紫外线辐照能量以实现芯片转移过程的高质量和稳定性。载体片的透明度及玻璃键合工具的设计是影响紫外线能量供应效率和芯片转移过程稳定性的关键因素。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用紫外辅助芯片转移机制实现直接键合应用。该方法包括使用玻璃键合工具通过载体片压紧芯片背面,并对紫外剥离型粘胶层进行紫外照射。
2:样本选择与数据来源:
实验使用经氩等离子体处理的2平方毫米方形硅裸芯片和3英寸直径硅裸晶圆。
3:实验设备与材料清单:
设备包含紫外照射玻璃键合工具及两种载体片(A型和B型)。材料包括紫外剥离型粘胶片及为隐形切割开发的测试样品。
4:实验流程与操作步骤:
该过程涉及将供体晶圆层压至粘胶片、晶圆切割、将切割芯片转移至紫外剥离型粘胶片、使供体芯片与受体晶圆面对面对准、通过载体片用玻璃键合工具压紧芯片背面,以及紫外照射实现键合。
5:数据分析方法:
研究评估不同紫外照射条件下的芯片转移能力,并分析其对载体片类型、玻璃工具设计及紫外照射条件的依赖性。
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