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薄膜近似在太赫兹光电导测量中的适用性

DOI:10.1063/1.5052232 期刊:Applied Physics Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: 对于高效析水太阳能电池而言,薄层介孔光导材料至关重要。通过太赫兹瞬态吸收测量可深入理解这类材料的光电导特性。此类测量通常采用薄膜近似法进行解析。我们以厚度3.3至12.6毫米的介孔氧化锡(SnO2)薄膜样品为实验对象(这些样品分别敏化钌多吡啶配合物或卟啉染料两种敏化剂),将薄膜近似法与无近似的传递函数数值解进行对比。两种敏化剂具有显著不同的吸收系数,导致穿透深度分别为15毫米和1毫米。对于穿透深度较短的染料,薄膜近似结果与数值计算高度吻合;而对于穿透深度较长的样品,即便厚度仅3毫米(约k/100量级),薄膜公式也会失效。采用薄膜公式计算的电导率虚部幅值明显大于无近似计算值。这种常用薄膜近似法与数值解之间的差异表明,必须对薄膜公式进行严谨分析。
作者: Jens Neu,Kevin P. Regan,John R. Swierk,Charles A. Schmuttenmaer
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研究概述 实验方案 设备清单

研究薄膜近似法在不同染料敏化的介孔SnO2样品太赫兹光电导测量中的适用性。

薄膜近似法与短穿透长度样品的数值解高度吻合,但对长穿透长度样品则失效,这表明应用薄膜公式时需谨慎分析。

薄膜近似法对于穿透长度较长的样品(即使厚度小至3毫米)也不适用。这种偏差在电导率的虚部表现得尤为显著。

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