研究目的
提出并验证一种基于包覆磁流体（MF）的微光纤结谐振器（MKR）的全光纤磁场传感结构，旨在推动磁控光学器件的发展以及超紧凑、低成本磁场传感器的设计。
研究成果
MKR与MF结合能有效进行磁场传感，其共振波长随外加磁场近似线性变化。灵敏度随MKR直径减小而提升，在155微米环径下达到277皮米/毫特斯拉的最大灵敏度。该传感器易于制备且能与传统光纤集成，适用于各类微光子器件。
研究不足
所提出的传感器无法确定磁场的符号。此外，入射光的偏振以及磁场与MKR平面之间的相对取向可能会影响传感特性。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及制备包覆磁流体（MF）的微光纤结谐振器（MKR），并采用低折射率MgF2平板作为基底以提高灵敏度。
2：样品选择与数据来源：
MKR通过火焰加热锥形拉制技术制备，微光纤直径设定为4微米。
3：实验设备与材料清单：
包括高稳定激光源（HSLS）、光谱分析仪（OSA，横河AQ6370C）及用于产生可调均匀磁场的电流-电压源（CVS）。
4：实验步骤与操作流程：
将MKR结构置于亥姆霍兹构型的双线圈间，在不同磁场下记录传输光谱。
5：数据分析方法：
通过监测共振波长偏移确定磁场灵敏度。
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optical spectrum analyzer
AQ6370C
Yokogawa
Detecting and analyzing the output light from the sensing structure.
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highly stabilized laser source
HSLS
Providing light source for the experiment.
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current-voltage source
CVS
Generating an adjustable uniform magnetic field.
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