研究目的
计算由嵌入砷化镓中的三角形孔组成的蜂窝状二维光子晶体晶格的光子能带结构,并研究静水压力和温度对TE和TM偏振光子能带结构的影响,包括移除一个三角形孔时的行为。
研究成果
对于TE和TM两种偏振模式,光子能带结构随静水压增大向高能方向移动,但带隙宽度保持不变。当移除一个三角形孔洞时,TM偏振的带隙位置和宽度维持不变,但在带隙内会出现一个缺陷态能带,该能带随压力升高向高能方向移动。这表明光子特性可通过外部参数进行调控。
研究不足
该研究假设所施加的静水压力不会改变二维光子晶体的蜂窝结构,这一假设在实际场景中可能不成立。计算方法依赖于特定近似条件,且结果仅适用于建模参数(如砷化镓衬底、特定孔径尺寸及压力/温度范围)。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用平面波展开法(PWE)求解非均匀介电材料中磁场的控制方程,具体针对砷化镓(GaAs)中具有三角形孔洞的二维蜂窝晶格结构。砷化镓的介电函数被建模为依赖于静水压和温度。
2:样本选择与数据来源:
该结构为理论模型,在砷化镓中嵌入边长L(例如0.7a和0.8a,其中a为晶格常数)的三角形孔洞。参数包括温度T(例如4 K)和静水压P(例如0、30、70千巴)。
3:7a和8a,其中a为晶格常数)的三角形孔洞。参数包括温度T(例如4 K)和静水压P(例如70千巴)。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:未提及具体设备或材料;本研究为计算研究,依赖数值方法和理论模型。
4:实验步骤与操作流程:
应用PWE方法计算TE和TM偏振的光子能带结构。对于缺陷晶体,采用超胞技术,缺陷间距为?=5a,并使用2500个平面波基组以确保收敛。
5:数据分析方法:
通过数值结果分析光子带隙和缺陷带随压力及孔洞尺寸变化的移动情况。
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