1：实验设计与方法选择：

采用电子束蒸发（EBE）系统在未退火条件下，于Si（100）和玻璃基底上沉积ZnS薄膜。该方法因其能制备低粗糙度且厚度控制优良的薄膜而被选用。

2：样本选择与数据来源：

使用高纯度ZnS粉末（99.99%）作为蒸发源。Si和玻璃基底经蒸馏水清洗并用氮气干燥。通过调节沉积时间（5-20分钟）控制薄膜厚度为350至1700纳米。

3：99%）作为蒸发源。Si和玻璃基底经蒸馏水清洗并用氮气干燥。通过调节沉积时间（5-20分钟）控制薄膜厚度为350至1700纳米。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：EBE系统（Elettrorava，意大利）、ZnS粉末（Aldrich，99.99%）、扫描电镜（TSCAN Vega\XMU，捷克）、原子力显微镜（Autoprobe CP，美国Park科学仪器）、能量色散X射线光谱（EDX）、X射线光电子能谱仪（SPECS超高真空/XPS/AES）、X射线衍射仪（Stoe透射式X射线衍射仪Stadi P，德国）、拉曼光谱仪（Jobin-Yvon LabRAM HR）、紫外-可见分光光度计（Specord S100，德国耶拿分析仪器）。

4：99%）、扫描电镜（TSCAN Vega\XMU，捷克）、原子力显微镜（Autoprobe CP，美国Park科学仪器）、能量色散X射线光谱（EDX）、X射线光电子能谱仪（SPECS超高真空/XPS/AES）、X射线衍射仪（Stoe透射式X射线衍射仪Stadi P，德国）、拉曼光谱仪（Jobin-Yvon LabRAM HR）、紫外-可见分光光度计（Specord S100，德国耶拿分析仪器）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：基底置于抽至<9×10?? mbar真空度的腔室中，电子束聚焦于ZnS源，靶-基距110毫米进行沉积。沉积后通过SEM表征厚度与形貌，AFM分析表面起伏，EDX和XPS测定成分，XRD解析晶体特性，拉曼检测振动模式，UV-Vis测量光学透过率。

5：数据分析方法：

XRD数据采用积分宽度分析与谢乐公式计算晶粒尺寸；光学数据通过包络法分析折射率与消光系数；带隙由(αhν)2与hν关系曲线确定。