研究目的
采用第一性原理模拟研究不同扭转角度和应变下MoS2/PtS2异质界面的电子与光学性质。
研究成果
MoS2/PtS2异质界面在30.0°扭转角下展现出增强的光学特性,其折射率、消光系数、反射率和吸收系数均获得显著提升。拉伸应变会引发吸收光谱红移并展宽,使高吸收范围延伸至近红外区域。这些特性在自旋轨道耦合效应下依然保持,表明其在可调谐光电器件中具有应用潜力。
研究不足
该研究为理论性研究,基于模拟而非实验验证。HSE泛函可能无法完全捕捉二维材料中的屏蔽行为,且未考虑激子效应,这可能会影响光学吸收光谱,尤其是在远红外区域。扭曲异质界面中的应变应用尚未通过实验证实。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用基于广义晶格匹配(GLM)方法的第一性原理密度泛函理论(DFT)模拟来确定最佳扭转角和应变效应。计算使用Quantum Atomistix ToolKit(ATK2018.06)软件,结构优化采用GGA-PBE泛函,电子与光学性质计算采用HSE杂化泛函。范德华修正使用Grimme DFT-D2模型。
2:06)软件,结构优化采用GGA-PBE泛函,电子与光学性质计算采用HSE杂化泛函。范德华修正使用Grimme DFT-D2模型。
样本选择与数据来源:
2. 样本选择与数据来源:样本为具有特定扭转角(19.1°、30.0°、40.9°)并施加双轴拉伸应变(0%至5%)的MoS2/PtS2异质结理论模型。数据通过计算模拟生成。
3:1°、0°、9°)并施加双轴拉伸应变(0%至5%)的MoS2/PtS2异质结理论模型。数据通过计算模拟生成。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:计算软件(ATK2018.06),因属模拟研究未使用实体设备。
4:06),因属模拟研究未使用实体设备。
实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:构建结构并进行完全弛豫直至原子间作用力低于0.01 eV/?。采用HSE泛函(12×12×1 k点网格,100 Hartree截断能)计算电子能带结构、态密度及光学性质(介电常数、折射率、消光系数、反射率、吸收系数),同时考虑自旋轨道耦合效应。
5:01 eV/?。采用HSE泛函(12×12×1 k点网格,100 Hartree截断能)计算电子能带结构、态密度及光学性质(介电常数、折射率、消光系数、反射率、吸收系数),同时考虑自旋轨道耦合效应。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:光学性质数据采用Kubo-Greenwood公式分析,结果结合半导体洛伦兹模型进行解读。
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