Gallium Oxide || Growth, properties, and applications of β-Ga2O3 nanostructures

DOI：10.1016/B978-0-12-814521-0.00005-1 出版年份：2019 更新时间：2025-09-09 09:28:46

摘要： This chapter provided a brief overview for β-Ga2O3 nanostructures from a growth aspect to device applications. The outstanding properties of β-Ga2O3 such as large bandgap, high breakdown field, thermal and chemical stability, along with advantageous properties due to its nanostructures morphology such as large surface-to-volume ratio, fewer defects, and less strain makes it a potential material for development of high-performance nanoscale devices. β-Ga2O3 nanostructures have shown great promise for nanoscale devices such as deep-UV photodetectors, gas sensors, and FETs. In addition, functional nanowires based on β-Ga2O3 nanostructures can also be utilized for establishing the nanoscale device platform.

关键词： device applications photodetectors FETs β-Ga2O3 nanostructures gas sensors growth techniques

作者： Mukesh Kumar，Sudheer Kumar，Vikram Kumar，R. Singh

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研究概述实验方案设备清单

研究目的

Investigating the growth, properties, and applications of β-Ga2O3 nanostructures for high-performance nanoscale devices.

研究成果

β-Ga2O3 nanostructures exhibit promising properties for nanoscale device applications, including photodetectors, gas sensors, and FETs. Future research should focus on controlled doping and large-scale device integration.

研究不足

The controlled doping in β-Ga2O3 nanostructures is challenging, and large-scale device integration requires further development.

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