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Chemical Bath Deposition of Undoped and Bi-doped n-Cu2Se Films and their Optoelectrical Properties

DOI:10.2174/2210681208666180517094621 期刊:Nanoscience &Nanotechnology-Asia 出版年份:2018 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: Introduction: The effluence of Bi3+ doping on the microstructure and property of the undoped and Bi3+-doped Cu2Se films deposited by chemical bath deposition were studied. Methods: The films showed average UV-visible transmittances of ~73.29-84.10 % that increased with increasing Bi3+ content. The optical bandgaps calculated from optical spectra increased with increasing Bi3+ content. Strong bandgap emission at ~629 nm was also observed. Moreover, the films had actual Se/Cu<2 and n-type conductive. Result: The sheet resistance of ~4.13-96.44×10-3 Ω·cm first decreased and then increased with the increase in Bi content. Conclusion: Various optical constants of the films were estimated with the UV-visible light spectra.
作者: Hai-Yan He,Jing Lu
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The effluence of Bi3+ doping on the microstructure and property of the undoped and Bi3+-doped Cu2Se films deposited by chemical bath deposition.

Bi-doping effect on the microstructural, optical and electrical properties of the Cu2Se films was studied. The films had the Cu/Se ratio larger than the stoichiometric ratio of the Cu2Se and showed a decreased resistance of ~4.13-96.44×10-3 Ω·cm with increasing Bi content. The films with the thickness of ~530-750 nm showed average transmittances of ~73.29-84.10 % in 300-850 nm. The bandgaps increased with the increase of Bi/Cu ratio from 0 to 0.136 because of Moss-Burstein effect and possibly wider bulk bandgap of Bi2Se3 than Cu2Se. The strong emission centered at ~629 nm related to bandgap or near bandgap emission was also observed.

The study focuses on the effect of Bi3+ doping on Cu2Se films deposited by chemical bath deposition. The limitations include the specific conditions of deposition and characterization methods used, which may not be applicable to other deposition techniques or materials.

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