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oe1(光电查) - 科学论文

42 条数据
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  • 全溶液法制备的高性能倒置量子点发光二极管

    摘要： 通过引入双掺杂的聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)空穴注入层和聚乙烯亚胺(PEI)界面层，成功实现了具有创纪录性能的全溶液法制备胶体量子点发光二极管(QLEDs)。将PEDOT:PSS同时掺杂Zonyl和异丙醇(IPA)可显著改善其润湿性，使得亲水性PEDOT:PSS能够涂覆在疏水性空穴传输层聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)上。PVK/QD层之间的PEI中间层不仅降低了真空能级，从而减小空穴注入势垒以实现载流子平衡，还通过其氨基钝化量子点表面缺陷以抑制荧光猝灭。最终实现了红、绿、蓝QLEDs的峰值电流效率分别为28.1 cd/A、43.1 cd/A和1.26 cd/A，最大外量子效率(EQE)分别为20.6%、10.4%和2.95%，以及最大亮度分别为5.06 × 10^4 cd/m2、1.21 × 10^5 cd/m2和2.96 × 10^3 cd/m2。据我们所知，红色器件的EQE是所有倒置结构红色QLEDs中最高的之一。此外，红色QLEDs在初始亮度100 cd/m2下的外推寿命达到8253小时，创造了新的纪录。

    关键词： PEDOT:PSS，倒置结构，QLEDs，全溶液加工，量子点发光二极管，PEI

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过镓（Ga）和镁（Mg）共掺杂氧化锌优化量子点发光二极管中的电子传输

    摘要： 在我们的研究中，为通过调控量子点发光二极管（QD-LEDs）的电子传输层（ETL）来优化电子-空穴平衡，我们合成了四种材料（ZnO、ZnGaO、ZnMgO和ZnGaMgO纳米颗粒）并将其作为ETL应用于QD-LEDs。通过用Ga掺杂ZnO纳米颗粒，由于ZnO纳米颗粒的费米能级升高，电子更容易注入；而进一步掺杂Mg后，ZnO纳米颗粒的价带顶（VBM）下移，从而更有效地阻挡空穴。此外，在量子点/ETL界面处，Mg通过减少ZnO纳米颗粒表面的氧空位缺陷来降低非辐射复合。结果表明，基于ZnGaMgO纳米颗粒的QD-LEDs实现了43,440 cd m?2的最大亮度和15.4 cd A?1的最大亮度效率。与使用ZnO、ZnGaO和ZnMgO纳米颗粒作为ETL相比，其最大亮度分别提升了34%、10%和27%，最大亮度效率则分别提升了450%、88%和208%。

    关键词： 电子传输层、氧化锌纳米粒子、量子点发光二极管、镓镁共掺杂、电子-空穴平衡

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 1,2-乙二硫醇浓度对量子点LED性能提升的影响

    摘要： 我们报道了绿色发光CdSe@ZnS量子点(QD)LED(QLED)对不同浓度1,2-乙二硫醇(EDT)溶液原位处理的系统效率变化。原位EDT处理对旋涂在ZnO层上的QD层的主要影响是由于QD层表面及QD与ZnO层界面处的偶极矩导致的真空能级偏移。这些偶极矩的竞争作用引起了能级构型的改变，进而导致电子和空穴势垒变化，最终造成电子电流与空穴电流变化的差异。当采用4 mM EDT溶液处理时QLED效率最佳，这归因于空穴电流与电子电流比值的最大增幅。经4 mM EDT处理的QLED最大发光效率达到5.43 cd A?1，是不处理器件的10倍。此外，该处理器件在500 cd m?2亮度下仍保持2.56 cd A?1的高发光效率。

    关键词： 效率提升、真空能级偏移、偶极矩、量子点发光二极管、1,2-乙二硫醇

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于二维材料的发光二极管电荷注入与传输性能的提升

    摘要： 发光二极管（LED）被认为是未来照明与显示领域最具前景的节能技术。二维材料（由单原子层或少原子层构成的材料类别）因其独特的物理化学性质近年来备受关注。本文综述了二维材料在提升有机发光二极管（OLED）、量子点发光二极管（QLED）及钙钛矿发光二极管（PeLED）性能方面的最新进展——这三类器件分别以有机薄膜、量子点和钙钛矿薄膜作为发光层（EML）。包括石墨烯及其衍生物、过渡金属硫族化合物（TMDs）在内的二维材料，可作为高效率LED复合功能层中的中间层或掺杂剂，展现出广泛的应用潜力。二维材料在LED中的作用包括：提升功函数、有效阻挡电子、抑制激子猝灭以及降低表面粗糙度。文中还对二维材料在PeLED中的潜在应用进行了分析与展望。

    关键词： 钙钛矿发光二极管、量子点发光二极管、有机发光二极管、二维材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 由无机铜掺杂磷酸钨空穴注入层实现的高效稳定倒置量子点发光二极管

    摘要： 无机界面缓冲层因其高载流子迁移率和优异的化学/热稳定性，被广泛应用于高效长寿命光电器件中。本文开发了一种溶液法制备的无机磷酸钨（TPA）作为空穴注入层（HIL），应用于倒置量子点发光二极管（QLEDs）中，实现了高达~20%的外量子效率（EQE）。进一步将铜离子掺杂到磷酸钨中（Cu:TPA），由于TPA的空穴迁移率和导电性提高以及空穴注入势垒降低，增强了空穴注入能力，使QLEDs中的电荷平衡更优，开启电压从5 V降至2.5 V。与使用传统有机聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）HIL的器件相比，基于Cu:TPA的器件在初始亮度为100 cd m-2时的半衰期超过3000小时，工作寿命提升了近五倍。

    关键词： 量子点发光二极管、空穴注入层、铜掺杂、磷酸钨、电致发光

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 全溶液法制备的双空穴传输层倒置量子点发光二极管，以热激活延迟荧光掺杂剂作为能量转移介质

    摘要： 通过采用聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)作为附加空穴传输层(HTL)并掺杂蓝色热激活延迟荧光(TADF)材料4,5-双(咔唑-9-基)-1,2-二氰基苯(2CzPN)，我们展示了具有高性能的高效全溶液法制备的反型量子点发光二极管(QLEDs)。这种PVK:2CzPN复合层不仅优化了空穴注入，还利用泄漏电子通过2CzPN向量子点(QDs)的能量转移过程增强器件亮度。与采用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-交替-(4,4'-(N-(4-丁基苯基)(TFB)单一HTL的标准QLED相比，这些优势使器件电流效率提升20倍(从0.523 cd/A增至11 cd/A)，最大亮度提高9.9倍(从3220 cd/m2增至35352 cd/m2)。与采用TFB/原始PVK双HTL的QLED相比，采用PVK:2CzPN附加HTL的最优QLED在亮度和电流效率上仍分别高出40.8%和61.7%。

    关键词： 热激活延迟荧光、量子点发光二极管、全溶液加工、能量转移、双空穴传输层、倒置结构

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [2019年IEEE第二届电子技术国际会议(ICET) - 中国成都 (2019.5.10-2019.5.13)] 2019年IEEE第二届电子技术国际会议(ICET) - 基于喷墨打印的高效顶发射量子点发光二极管

    摘要： 在这项工作中，我们报道了用于实现高分辨率量子点发光二极管（QLED）显示的喷墨打印顶发射（TE）QLED。在1000 cd/m2亮度下，顶发射器件展现出5.90 cd/A的电流效率，比传统底发射（BE）器件的2.18 cd/A高出2.7倍。这一显著提升归因于易于喷墨打印的精确可控腔长设计。

    关键词： QLEDs（量子点发光二极管）、顶部发射结构、喷墨打印、咖啡环效应、量子点

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 量子点LED的等效电路及有源层载流子寿命的获取

    摘要： 我们提出了一种量子点发光二极管（QLED）的等效电路模型，其中电阻和电容参数均通过QLED的物理特性表示。该等效电路的有效性已通过实测数据验证。通过对比QLED的实测频率响应与等效电路的计算频率响应，我们能够推导出QLED有源层中的载流子寿命。该等效电路模型的建立有助于简化QLED电学特性的分析过程。

    关键词： 量子点发光二极管、频率响应、载流子寿命、等效电路

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 纤维液桥引导的连续可控液体转移：迈向高性能量子点发光二极管

    摘要： 溶液加工法被广泛用于制备量子点（QD）薄膜以制造量子点发光二极管显示器（QLED）器件。然而现有方法要么存在咖啡环效应，要么造成大量溶液浪费，导致性能低下且成本高昂。本研究开发了一种基于纤维液桥引导的简易方法：通过将两端置于毛细管中的紧绷纤维，实现量子点溶液向超光滑薄膜的连续可控转移。沿纤维引导时，水平纤维与基底间会形成液桥，大量液体稳定保持在垂直放置的毛细管中。定向移动液桥即可在基底上生成高质量QD薄膜。特别值得注意的是，液体消耗量具有定量特性——与所制备薄膜面积成正比。通过依次在同一目标区域多次转移液体，还可制备多层超光滑红/绿/蓝QD薄膜。由此制得的白光QLED器件展现出卓越性能：最高亮度达57,190 cd m?2，最大电流效率为15.868 cd A?1。该策略为低成本制备高性能QLED器件提供了新思路。

    关键词： 液体传输、量子点发光二极管、液桥、纤维、量子点薄膜

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 采用过滤阴极真空电弧法制备的四面体非晶碳用于钙钛矿太阳能电池和量子点LED的空穴传输层

    摘要： 在本研究中，我们证明了通过过滤阴极真空电?。‵CVA）工艺涂覆的四面体非晶碳（ta-C）薄膜作为钙钛矿太阳能电池（PSCs）和量子点发光二极管（QDLEDs）的空穴传输层（HTL）的可行性。这种p型ta-C薄膜具有多项显著特性：无需热退火或其他后处理即可简便制备、具备合理导电性、光学透过率良好、化学稳定性优异且功函数较高。因此，我们提出了一种通过采用ta-C薄膜作为空穴传输层来提升PSCs和QDLEDs性能的简易有效方法。X射线光电子能谱和紫外光电子能谱检测表明，ta-C空穴传输层的电学特性（sp3/sp2杂化键比例）与功函数参数均适配PSCs和QDLEDs器件需求。此外，为建立器件性能关联，我们详细研究了沉积在ITO阳极上不同厚度（5~20 nm）FCVA制备ta-C薄膜的光学、表面形貌及结构特性。优化后的5 nm厚ITO阳极ta-C薄膜方阻为10.33欧姆/平方，电阻率1.34×10??欧姆·厘米，光学透过率达88.97%。相较于采用p-NiO空穴传输层的参照电池，使用5 nm厚ta-C空穴传输层的PSCs因填充因子提升而获得更高光电转换效率（PCE达10.53%）。同时，配备5 nm厚ta-C空穴注入层的QDLEDs性能优于其他厚度器件。研究表明FCVA制备的ta-C薄膜有望成为下一代PSCs和QDLEDs中的空穴传输层与空穴注入层材料。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池，空穴传输层（HTL），量子点发光二极管，四面体非晶碳（ta-C）薄膜，空穴注入层（HIL）

    更新于2025-09-12 10:27:22