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基于高Q值铌酸锂MEMS谐振器与65纳米CMOS的可调低功耗振荡器
摘要： 本文提出了一种压电射频微机电系统(MEMS)谐振器与CMOS协同设计的全面指南，旨在实现能充分发挥两种平台优势的电压控制MEMS振荡器(VCMO)。该分析聚焦于调谐范围、功耗、增益和相位噪声之间的权衡关系，其结论具有普适性(适用于各类压电谐振器)，同时针对Colpitts结构VCMO进行了专项研究?；诖讼钛芯浚状握故玖嘶诟逹值铌酸锂(LiNbO3)微机械谐振器与CMOS异质集成的VCMO。采用系列谐振频率为171.1 MHz、Q值为410、机电耦合系数为12.7%的LiNbO3谐振器阵列，并运用台积电65纳米射频低压CMOS工艺实现占位面积220×70微米的反馈与调谐电路。通过编程连接至谐振器的二进制加权数字电容阵列和变容二极管实现VCMO的频率调谐。实测最佳相位噪声性能为：在178.23 MHz和175.83 MHz载波下，分别对应1 kHz和10 MHz频偏时达到-72 dBc/Hz和-153 dBc/Hz。该VCMO在1.2V供电下仅消耗60 μA直流电流，实现2.4 MHz调谐范围(约1.4%小数调谐范围)。此类VCMO可应用于物联网新兴场景，实现超低功耗、低相位噪声的宽带射频信号合成。
关键词： 射频微机电系统（MEMS）、铌酸锂（LiNbO3）、相位噪声、振荡器、物联网（IoT）
更新于2025-09-10 09:29:36
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基于铌酸锂薄片的5 GHz横向激励体波谐振器（XBARs）
摘要： 在一块独立的400纳米厚晶体ZY-LiNbO3薄片中，通过周期性排列间距为几微米的窄电极（500纳米），并利用平行于晶体Y轴且平行于薄片平面的横向电场，可以激发剪切波体声波谐振器（XBARs）。其约4800MHz的谐振频率主要由薄片厚度决定，对电极宽度和间距仅存在弱依赖性。模拟显示谐振与反谐振处的品质因数（Q）均高于1000。首批制备器件的测量结果表明：谐振品质因数约300，强压电耦合系数约25%（体现为较大的谐振-反谐振频率间隔约11%），以及谐振阻抗仅为几欧姆。对应阻抗虚部的器件静态电容约为100欧姆。该器件为开发适用于第四代和第五代（4G/5G）移动电话的3-6GHz低损耗宽带射频滤波器开辟了可能。XBARs可采用标准光学光刻和MEMS工艺制造。已观测到高达38GHz的三次、五次、七次和九次谐波，这些谐波对高频滤波器设计也具有重要价值。
关键词： 铌酸锂、微机电系统、射频滤波器、XBAR滤波器、5G
更新于2025-09-10 09:29:36
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通过非线性超晶格光栅实现二次谐波涡旋光束的可控生成
摘要： 铌酸锂（LiNbO3）非线性光子晶体因其正负畴产生的二次谐波（SH）波间存在π相位差，已被广泛应用于非线性波前调制领域。通过优化算法辅助设计具有超晶胞结构的非线性叉形光栅，我们能够调控铌酸锂晶体中二次谐波涡旋光束的衍射图样。实验表明，衍射能量可按理论设计实现各衍射级次等能量分布或特定级次能量集中。该技术潜在应用于可控涡旋光束生成、无损并行涡旋检测等领域。
关键词： 量子信息处理、铌酸锂、光通信、非线性光子晶体、超晶格光栅、二次谐波涡旋光束、非线性光学
更新于2025-09-09 09:28:46
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新型非化学计量铁电体(Li0.95Cu0.15)Ta0.76Nb0.19O3的表征及其与(Li0.95Cu0.15)Ta0.57Nb0.38O3作为MFCs光催化剂的对比研究
摘要： 本研究探究了新铁电材料(Li0.95Cu0.15)Ta0.76Nb0.19O3(LT76)在单室微生物燃料电池(MFC)中的光催化活性，并将其性能与类似光催化剂(Li0.95Cu0.15)Ta0.57Nb0.38O3(LT57)进行对比。光催化剂LT76和LT57采用陶瓷路线在相同条件下、以相同原料合成，其Ta/Nb比例分别固定为4.0和1.5。通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、粒径分布(PSD)、差示扫描量热法(DSC)和紫外-可见光谱(UV-Vis)等技术对这两种物相进行了表征。新型光催化剂LT76的比表面积约为0.791m2/g，居里温度为1197°C。在光源照射下，通过功率密度和化学需氧量(COD)去除率评估该材料在废水处理和发电方面的光催化效率。LT76的最大功率密度和COD去除率分别为19.77 mW/m3和93%。
关键词： 微生物燃料电池、非化学计量、铁电体、铌酸锂-钽酸盐、光催化剂
更新于2025-09-09 09:28:46
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用于太阳轨道器的铌酸锂窄带光学滤波器的制备与计量
摘要： 我们报道了为SO/PHI星载太阳成像仪器定制电压可调谐标准具的研制工作[A. Gandorfer, S. K. Solanki, J. Woch, V. M. Pillet, A. A. Herrero, 和 T. Appourchaux, J. Phys.: Conference Series 271, 012086 (2011)]。这些标准具的制造要求在6175.0 ?的FeI发射线0.3 ?范围内设置一个透射峰值。要满足这一规格，需要在60 mm孔径上将整体厚度控制在±15 nm以内。本文描述了我们为实现这一目标而开发的计量、建模和镀膜工艺。
关键词： 电光、法布里 - 珀罗、滤波器、铌酸锂、标准具、太阳能
更新于2025-09-09 09:28:46
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基于向列相液晶和铌酸锂基板的混合光敏结构
摘要： 基于铌酸锂基板的液晶盒最近被提出作为光流控器件及液晶薄膜中光诱导缺陷可控生成的优良候选方案。这些结构的独特之处在于可利用铌酸锂的体光伏效应获得能影响液晶分子指向矢的光诱导直流电场。文献还报道了由铌酸锂热释电特性驱动的液晶液滴可逆碎裂与自组装现象。我们综述目前已取得的基础研究成果，旨在梳理现状并探讨在实现结合铌酸锂与液晶电光/非线性光学特性的混合结构框架下，还有哪些进一步的研究空间。
关键词： 热释电效应、光流控器件、铌酸锂、液晶、光伏效应
更新于2025-09-09 09:28:46
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改进型同成分铌酸锂的加工与表征
摘要： 铌酸锂（LiNbO3）存在两种形态：大多数商用器件采用非化学计量比约1.5%的富锂熔体廉价制备。这种方法能产出具有高光学质量的非线性光学器件，但同时存在较高损耗?；Ъ屏勘阮晁犸泊嬖?，但仅见于更小尺寸且价格昂贵的样品。本文报道了低损耗富锂样品的制备与表征，结果显示其基本不存在扩展缺陷。
关键词： 一致的，拉曼光谱，缺陷，铌酸锂，化学计量比
更新于2025-09-09 09:28:46
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用于量子通信系统的高消光比集成光学调制器
摘要： 提出了一种基于铌酸锂的光集成马赫-曾德尔调制器通过光折变效应提高消光比的方法。实验研究了光折变效应对强度调制器X/Y分路器的影响，实现了调制器消光比提升17分贝（从30分贝增至47分贝）。研究表明，高消光比的调制器对量子密钥分发系统具有重要意义。
关键词： 铌酸锂，消光比，光折变效应，量子通信系统，集成光学调制器
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日至28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 一种工作频率为直流至40GHz、高线性度、低直流功耗的单片砷化镓分布式放大器，作为高速率预驱动器
摘要： 本文介绍了一款用于光驱动应用的六级砷化镓单片微波集成电路（MMIC）分布式放大器（DA）的设计与性能。该放大器采用商用0.15微米砷化镓p-HEMT工艺制造，在40GHz的3dB带宽内实现13dB小信号增益，功耗为550毫瓦。其群延迟时间变化在30GHz范围内仅±7皮秒。输出功率高于16dBm（4Vpp），使其适合作为铌酸锂（LiNbO3）光调制器驱动器的前置放大器。通过眼图质量评估，该分布式放大器作为12.5GBps PAM-4（25Gbps）光系统调制器驱动器的组成部分得到了验证。
关键词： 光驱、铌酸锂（LiNbO3）光学调制器、电光调制、宽带放大器、光放大器、调制器、行波放大器、预驱动器、单片微波集成电路（MMIC）、分布式放大器
更新于2025-09-04 15:30:14
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《AIP会议论文集》[作者 2018年第四届电子与绿色材料国际会议（EGM 2018）——印度尼西亚万?。?018年7月27-28日）] - 喷雾热解技术沉积纳米及微米级铌酸锂的物理特性研究
摘要： 本文采用喷雾热解法沉积了铌酸锂薄膜，并对制备样品的物理性质进行了进一步研究。该喷雾热解沉积过程以石英为衬底，使用新型前驱体化合物作为原料。沉积过程中设置了多组退火温度以调控制备样品的物理特性变化。此外，还通过场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）及薄膜厚度测量对样品的结构特性进行了表征。
关键词： 结构特性，喷雾热解法，铌酸锂，形貌特性
更新于2025-09-04 15:30:14