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oe1(光电查) - 科学论文

30 条数据
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  • [2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案

    摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。

    关键词： 氧化锌，直流开关，截止频率，脉冲测量，栅极电荷，单片集成电路，射频开关，离子半导体，薄膜晶体管（TFT）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 通过O?等离子体处理提升背沟道刻蚀型a-IGZO薄膜晶体管的性能

    摘要： 本研究探讨了O2等离子体处理对背沟道蚀刻（BCE）非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）性能的影响。结果表明，O2等离子体处理显著改善了亚阈值摆幅（SS）及负栅极偏压应力下的性能稳定性。研究认为这种改善归因于背沟道表面铟（In）含量的降低和缺陷态的减少。

    关键词： NBS、亚阈值摆幅、BCE结构a-IGZO TFT、O2等离子体

    更新于2025-09-23 04:40:14

  • 台湾TFT-LCD产业的商业生态系统与技术路线图

    摘要： 过去十年间，作为优质12英寸晶圆制造的可靠来源地，台湾成长为全球最大的TFT-LCD面板供应商。2008年金融?；八婧罄醋云渌侵拗圃焐痰木赫泳?，导致当前全球供应过剩、需求波动和价格震荡的局面。为此，2012年多家企业尝试组建联盟战略以支持台湾TFT-LCD产业。本文提出台湾TFT-LCD大联盟构想，并通过三种方法分析该联盟的现有优势、局限性与未来潜力：产业价值链（波特1985）、动态五力框架（波特1980）及商业生态系统（摩尔1993）。研究结果表明，构建商业生态系统生命周期可为台湾TFT-LCD产业制定适宜的技术路线图。本研究为参与制定和执行全球竞争战略的管理层与商业联盟提供了有价值的见解与发展方向。

    关键词： 五力模型、行业分析、TFT-LCD产业、技术路线图、商业生态系统

    更新于2025-09-23 15:28:59

  • 半脂环族聚酰亚胺树脂的制备与表征及其在液晶显示技术中衍生取向层的研究

    摘要： 在施加电压下实现刚性棒状液晶（LC）分子的均匀排列，对于薄膜晶体管驱动液晶显示器件（TFT-LCDs）获得高质量显示效果至关重要。能够诱导随机排列液晶分子定向的聚合物组分称为取向层（ALs）。本研究以脂环族二酐——氢化3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐（HBPDA）与多种芳香族二胺为原料，设计并制备了一系列有机溶剂可溶的聚酰亚胺（SPI）取向层材料，包括采用4,4'-亚甲基二苯胺（MDA）合成的SPI-1、4,4',5,5'-二氨基二苯醚（NDA）合成的SPI-2、3,3',5,5'-四甲基-4,4'-二氨基二苯甲烷（TMMDA）合成的SPI-3以及3,3',5,5'-二乙基-4,4'-二氨基二苯甲烷（DMDEDA）合成的SPI-4。所得SPI树脂均能溶于N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）。通过将SPI树脂溶解于NMP与丁基纤维素（BC）的混合溶剂（NMP/BC=80:20，质量比）中，制备了四种固体含量为6 wt.%的SPI取向剂。利用开发的SPI清漆作为液晶分子定向组分，成功制备了液晶微型盒。这些SPI取向层对液晶分子展现出良好的定向能力，预倾角范围为1.58°–1.97°。液晶微型盒表现出优良的光电特性，电压保持率（VHR）值高于96%。SPI取向层的优异定向性能主要归因于其综合性能良好，包括高体积电阻率、在加工温度（230°C）下具有高酰亚胺化程度、良好的耐摩擦性、玻璃化转变温度（Tgs）高于260°C的热稳定性，以及在550 nm波长处透光率高于97%的卓越光学透明性。

    关键词： 对准层、半脂环族聚酰亚胺、薄膜晶体管驱动液晶显示器件（TFT-LCD）、残余直流电压、电压保持率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络

    摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。

    关键词： 单片集成电路、脉冲测量、氧化锌、栅极电荷、直流开关、离子半导体、射频开关、薄膜晶体管（TFT）、截止频率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 1：TFT技术应用于AMOLED显示的挑战

    摘要： 有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）已广泛应用于智能手机、汽车仪表盘、智能可穿戴设备、VR/AR等中小尺寸及大尺寸显示领域。从量产角度看，AMOLED仍面临薄膜晶体管（TFT）背板需同时满足严苛且有时相互冲突的性能要求这一挑战。基于对AMOLED显示技术发展趋势的梳理，本文系统分析了TFT性能挑战及其与产品性能问题（如寿命、云纹和残像）的关联。研究发现：减小饱和区Ids-Vds斜率有助于提升AMOLED寿命；在栅极绝缘层（GI）沉积前采用氧化性等离子体处理、进行GI退火工艺以及采用双层（SiO2/SiN）GI结构，均能有效降低氧化物层及多晶硅/GI界面的陷阱密度，从而改善短期残像问题。

    关键词： AMOLED、图像残留、TFT、寿命、mura（显示不均）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019国际能源与可持续发展会议(IESC) - 美国纽约州法明代尔(2019.10.17-2019.10.18)] 2019国际能源与可持续发展会议(IESC) - 微电网中光伏能源实施方法论

    摘要： 本文提出了一种用于有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示的新型高精度电压编程像素电路。该像素电路由三个薄膜晶体管（TFT）和一个存储电容组成，在相同像素尺寸下分别采用非晶硅（a-Si）和铟镓锌氧化物（a-IGZO）TFT技术实现以进行公平对比?；赼-Si的设计仿真结果表明：在90秒编程时间内，该像素电路能几乎无误差地补偿驱动TFT的3V阈值电压（Vth）漂移。相比之下，尽管基于a-IGZO的像素电路已证实具有三倍更高的速度，但其电流误差较大（约8%）。

    关键词： 有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）、补偿、氧化物薄膜晶体管（TFT）、非晶硅（a-Si）

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE未来电子器件国际会议（IMFEDK）-日本京都（2019.11.14-2019.11.15）] 2019 IEEE关西未来电子器件国际会议（IMFEDK）-采用感应耦合等离子体溅射系统制备的高可靠性InGaZnO薄膜晶体管

    摘要： 氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性及降低工艺温度的方法已成为严峻问题。为解决这些问题，我们研发了可独立控制射频（RF）功率以产生感应耦合等离子体（ICP）和施加于溅射靶材电压的感应耦合等离子体溅射设备。利用该设备，我们能在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜，并以此制备高可靠性薄膜晶体管。

    关键词： 薄膜晶体管（TFT）、感应耦合等离子体（ICP）溅射、铟镓锌氧（IGZO）、可靠性

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • P-1.15：一种适用于采用a-IGZO TFT和a-Si:H PIN二极管的AMOLED显示器的新光学补偿方案

    摘要： 本文提出了一种基于像素内传感器单元的AMOLED显示器新型光学补偿方案。该传感器单元包含：采用低关态电流特性的a-IGZO TFT作为开关元件、利用高光电导增益特性的a-Si:H PIN二极管作为光学传感器，以及用于电荷存储的电容器。由于不同亮度下关态电流存在显著差异，通过PIN传感器可获取每个像素的亮度值，进而相应调整数据电压。该方案应用于5英寸AMOLED显示器后，结果表明该方法能精确捕捉像素亮度，并有效补偿低灰阶下的亮度均匀性。

    关键词： IGZO TFT、光学补偿、a-Si:H PIN二极管

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 光源对薄膜晶体管检测效果的影响

    摘要： 光源往往会影响自动光学检测（AOI）系统所采集的图像。本研究通过实验检验了金属卤化物灯、石英卤素灯和LED作为AOI系统光源，在检测薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）第三层与第四层电极时的有效性。结果表明，LED的性能总体上与金属卤化物灯和石英卤素灯相当或更优。由于蓝光LED的光谱特性与时间延迟积分电荷耦合器件（TDI CCD）传感器相匹配且具有更好的空间分辨率，其光学性能最佳。蓝光LED呈现的图像更清晰、特征更鲜明。鉴于当前LED具有更高的能效和环保优势，将其用作AOI光源极具效益。鉴于蓝光LED表现最优，采用TDI CCD传感器的AOI系统应选用该光源。

    关键词： TFT-LCD、蓝光LED、光谱、石英卤素灯、金属卤化物灯

    更新于2025-09-10 09:29:36