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NE2R10A 滤光片

NE2R10A

分类： 滤光片

厂家： 索雷博

产地： 美国

型号： NE2R10A

更新时间： 2024-06-05T09:24:12.000Z

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简介：

2 Inch Absorptive ND Filter, SM2-Threaded Mount, Optical Density: 1.0

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概述

Thorlabs Inc的NE2R10A是一款中心波长（CWL）为633 nm、滤波器直径为50.8 mm（2英寸）的光学滤波器。有关NE2R10A的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 过滤器类型 / Filter Type : Absorptive Neutral Density Filter, Neutral Density Filter
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 过滤器形状 / Filter Shape : Round
  • 基底/材料 / Substrate/Material : NG4
  • 滤波器直径 / Filter Diameter : 50.8 mm (2 Inch)
  • 表面质量 / Surface Quality : 40-20 scratch-dig

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  • 采用0.35微米CMOS工艺制造的面积达9平方毫米的硅光电倍增管
    互补金属氧化物半导体 硅光电倍增管（SiPM） 雪崩击穿结构 脑正电子发射断层扫描传感器

    采用标准互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制造的硅光电倍增管，是现代弱光子通量传感器应用的基础。这类器件实际上能将基于晶体管的电子元件集成于传感器内部，并提供智能化的读出策略。本文研究了0.35微米CMOS工艺在大面积器件上的可扩展性，报道了总面积分别为1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米的硅光电倍增管的设计与特性。串扰、420纳米波长下的光子探测效率、2.5伏过压增益以及击穿电压温度系数均与传感器总面积无关，其数值分别为10%、35%、2.5×10^6和35毫伏/开尔文。暗计数率随器件总面积按180千赫兹/平方毫米的比例增长。总输出电容、单光子信号衰减时间以及单光子时间分辨率则与器件面积相关：1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米硅光电倍增管分别获得66.9皮法、270.2皮法和554.0皮法的电容值；(27.1±0.1)纳秒、(50.8±0.1)纳秒和(78.2±0.1)纳秒的衰减时间；以及(77.97±0.51)皮秒、(201.67±0.98)皮秒和(282.28±0.86)皮秒的单光子时间分辨率。

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  • (Cd:Zn)S/P(VDF-TrFE)复合薄膜的偏振特性与偏振深度分布随光激发的变化关系
    复合材料 光激发 铁电聚合物 半导体

    研究了光激发强度对铁电-半导体复合材料电学、铁电及热释电性能的影响。为此制备了由聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物与10体积%（镉锌）硫化物颗粒组成、厚度为34微米的复合薄膜。采用激光强度调制法测量绝对热释电系数并测定相对热释电深度分布。结果表明：在所用相对较小的峰峰值电压下，未施加光激发时样品的极化状态既无法通过Sawyer-Tower电路验证，也无法通过热释电系数测量装置确认。剩余极化强度和热释电系数均随极化过程中光激发强度的增加以及峰峰值电压的升高而增大。热释电系数在极化后最初数小时内呈现时间衰减特性。校准热释电深度分布需要比热容、导热系数或热扩散率数据?；旌隙捎牍馍芯勘砻魉酶春喜牧系娜妊阅苡朐季酆衔镂尴灾钜??；谟爰植汲烧鹊娜仁偷缟疃确植?，扩展了现有"三相模型"以生成替代电路图，该图通过光激发依赖性的局部电阻率和局部场强解释了局部极化现象。

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实验方案推荐
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  • 电子科学与技术实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本研究采用0.35微米CMOS工艺设计并表征了面积分别为1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米的硅光电倍增管（SiPM）。研究方法包括电流-电压特性测试、暗计数率与串扰测量、增益测量、光子探测效率测量以及单光子时间分辨率测量。 2. 样本选择与数据来源：从10个晶圆中随机选取芯片，共制备120个SiPM器件样本。 3. 实验设备与材料清单：设备包括Keithley 2636源表、Lakeshore 325温控仪、GDC-J25真空电磁阀、Agilent B1500A半导体分析仪、Keithley PCT-CVU电容-电压计、CAEN N844阈值甄别器、Keysight 81133A脉冲模式发生器、PicoQuant LDH-P-C-440激光二极管、PicoQuant PDL 800-B激光驱动器、Thorlabs NE10A和NE60A滤光片、Thorlabs ED1-C20-MD漫射器、Tektronix DPO71604B数字示波器及宽带电压放大器。材料为采用0.35微米CMOS技术制造的SiPM器件。 4. 实验流程与操作步骤：实验流程包括在不同温度下测量电流-电压曲线、在遮光箱内测量暗计数率与串扰、利用LED照明测量增益、通过单色仪系统测量光子探测效率、采用脉冲激光测量单光子时间分辨率。数据采集与分析使用指定设备与软件完成。 5. 数据分析方法：数据分析包含通过数值微分法确定击穿电压、采用阈值扫描法测量暗计数率、通过电荷积分法计算增益、利用光谱测量法测定光子探测效率、结合波形分析与线性插值法获取时间分辨率。

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  • 材料科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：研究采用在P(VDF-TrFE)基体中掺杂10体积比(Cd:Zn)S颗粒制备复合薄膜。测试方法包括：使用Sawyer-Tower电路进行I-V和极化测量、交流法测量热释电系数、激光强度调制法(LIMM)进行深度剖析、以及光声光谱技术分析热学特性。 2. 样品选择与数据来源：制备了具有特定厚度和电极配置的两种样品（样品1和样品2）。数据采集涵盖电学、铁电、热释电及热学性能测试。 3. 实验设备与材料清单：设备包含光学激发LED、电源、功率计、Sawyer-Tower电路、珀尔帖元件、锁相放大器、LIMM用激光二极管、光声池、斩波器，以及P(VDF-TrFE)、(Cd:Zn)S颗粒、甲基乙基酮、金电极等材料。 4. 实验流程与操作规范：在不同光激发强度和峰峰值电压下对样品进行极化处理，极化后按时间延迟开展热释电测量。LIMM测试从样品双侧实施，光声测量在特定频率下完成。 5. 数据分析方法：热学特性采用混合率法则分析，光声信号运用RG理论解析，LIMM通过频率依赖性实现深度剖析。统计分析包含信号幅值对比与指数衰减拟合。

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厂家介绍

Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室

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