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  FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+3dBm 活动区域直径: 75μm 响应度: 1800~2500V/W 跨阻抗: ---~2800? 光学过载: ---~-3dBm

  FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

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  FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA 有效面积直径: ---~75μm 响应度: ---~1.6V/mW 跨阻抗: ---~18kΩ

  FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

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  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75μm - 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容: 1.5pF - 20pF

  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75μm、120μm、300μm、400μm和500μm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

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  FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容: 80pF - 1800pF

  FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

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  FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效面积直径: 75μm, Pitch:250μm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 最大反向电压: 20V 最大正向电流: 5mA 击穿电压: Typ. 50V

  FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

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  FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75μm to 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90 to 0.95 A/W 电容(5.0V): 0.65 to 20 pF

  FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

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  FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75μm to 500μm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W 响应度(1550nm): 0.90 to 0.95 A/W 电容: 0.65 to 20.0 pF

  FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

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  FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75μm - 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容(电压=5.0V): 0.65pF - 20.0pF

  FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

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  FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  活动区域直径: 75μm to 120μm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W 背反射: -40dB to -35dB 电容: 0.65pF to 1.0pF

  FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

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  FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+5dBm 供电电流: 26*55~35*65mA 活动区域直径: 100μm 响应度: 1000~1700V/W 跨阻抗: 2800Ω

  FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100μm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。

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  9900B - 29毫米光电倍增管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：ADIT Electron Tubes

  PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 上升时间: 15ns

  光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

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  UVG12

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Opto Diode

  Opto Diode Corporation的UVG12是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4μsec，电容为3至7 NF，响应度/光敏度为0.10 5至0.125 A/W，有效面积直径为4.1 mm.有关UVG12的更多详细信息，请联系我们。

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  SXUV100TF135B

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Opto Diode

  光电探测器类型: PN RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF 响应度/光敏度: 0.08 to 0.1 A/W

  Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm，在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有?；じ堑奶沾稍靥逯惺褂?。

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  UVG5

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Opto Diode

  Opto Diode Corporation的UVG5是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为1至2μsec，暗电流为1 nA，电容为2 NF，响应度/光敏度为0.09至0.115 A/W.有关UVG5的更多详细信息，请联系我们。

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  30微米InGaAs APD同轴光电二极管?？?/a>

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Laser Diode, Inc.

  APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nm

  OSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装

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  C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

  Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

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  VEMD6060X01

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Vishay Intertechnology

  光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pF

  Vishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。

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  InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Go!Foton

  APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm

  走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

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  ODD-5WISOL

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Opto Diode

  Opto Diode Corporation的ODD-5WiSOL是一种光学检测器，其波长范围为632 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为1至3 nA，电容为11 PF，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.

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  ODD-5WB

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Opto Diode

  Opto Diode Corporation的ODD-5WB是一款光学检测器，波长范围为450 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为1至3 nA，电容为11 PF，响应度/光敏度为2.20至0.28 A/W.ODD-5WB的更多详情见下文。