修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

光电二极管

已选
  • 美国
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

    确定 取消
  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供958个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • L25D19 - 25毫米光电倍增管 光电二极管

    L25D19 - 25毫米光电倍增管

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 630nm 上升时间: 1.0ns

    L25D19是一个直径为25 mm（1）的端窗光电倍增管，具有一个蓝绿敏感的双碱光电阴极和8个线性聚焦型倍增电极。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管

    C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V 增益: 12-18

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD） 光电二极管

    C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD）

    美国
    分类：光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50? (AC-Coupled) 可靠性: 高

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD） 光电二极管

    C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 1x1mm2 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器?？榧闪俗贤庠銮啃蚐i雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain 上升时间: 2ns

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD） 光电二极管

    C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）

    美国
    分类：光电二极管
    形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

    C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

  • C30626FH系列雪崩光电二极管 光电二极管

    C30626FH系列雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

    C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30884EH 硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm2 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

  • C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 0.5mm2 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees 击穿电压: 300-475V

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • 134A 光电二极管

    134A

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Broadcom
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InAIAs RoHS: Yes

    来自Broadcom的134A是波长范围为1260至1620 nm的光电二极管。有关134A的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-001 光电二极管

    UV-001

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-001是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为0.2μs.有关UV-001的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-6DP 光电二极管

    PIN-6DP

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2000 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-6DP是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2000 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为220 ns.有关引脚6DP的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD1-5T 光电二极管

    OSD1-5T

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为35 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为7μs.有关OSD1-5T的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75-XX-XX 光电二极管

    FCI-InGaAs-75-XX-XX

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • C30645L-080 光电二极管

    C30645L-080

    美国
    分类：光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 1.45 pF

    Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

  • InGaAs APD?？?光电二极管

    InGaAs APD?？?/a>

    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1250nm 工作波长范围: 800 - 1700 nm

    LAPD 1550-200R是一款200um InGaAs APD，采用3引脚TO46密封封装。低噪声、高灵敏度

  • NXIR-5W 光电二极管

    NXIR-5W

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Opto Diode

    Opto Diode Corporation的NXIR-5W是一款光学探测器，波长范围为1060 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为1至3 nA，电容为11 PF，响应度/光敏度为0.45 A/W.NXIR-5W的更多详情见下文。

  • NXIR-RF36 光电二极管

    NXIR-RF36

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Opto Diode

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF36是一款光学检测器，波长范围为700至1100 nm，上升时间为15 nsec，电容为8 PF，响应度/光敏度为0.65 A/W.有关NXIR-RF36的更多详细信息，请联系我们。

  • NXIR-RF74 光电二极管

    NXIR-RF74

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Opto Diode

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF74是一款光学检测器，波长范围为700至1100 nm，上升时间为15 nsec，电容为8 PF，响应度/光敏度为0.65 A/W.有关NXIR-RF74的更多详细信息，请联系我们。