- 加拿大
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集电极发射极电压(击穿)
Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)
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集电极发射极电压(饱和)
Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)
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集电极暗电流
Collector-Dark Current(nA)
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发射极集电极电压(击穿)
Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)
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导通状态集电极电流
On-State Collector Current(mA)
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波长(光谱灵敏度)
Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)
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OP552B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情,请联系我们。
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OP750D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情,请联系我们。
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OP565B
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情,请联系我们。
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OP798D
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情,请联系我们。
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OP599C
输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP599C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.4至1.95 mA.有关OP599C的更多详细信息,请联系我们。
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OP565A
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP565A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通集电极电流为6.6 mA.有关OP565A的更多详情,请联系我们。
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OP508FC
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP508FC是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.34 mA.有关OP508FC的更多详情,请联系我们。
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OP305SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP804SL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为7 mA至22 mA,功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情,请联系我们。
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OP800B
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA,功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情,请联系我们。
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OP509A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP509A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流5.7 mA.有关OP509A的更多详细信息,请联系我们。
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OP506B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP506B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP506B的更多详细信息,请联系我们。
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OP798A
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情,请联系我们。
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OP506C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息,请联系我们。
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OP508FA
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息,请联系我们。
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OP599A
输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息,请联系我们。
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OP304SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP580DA
输入功率(辐照度): 0.15 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP580DA是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1μA,集电极发射极电压(饱和)1.7 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流10 mA.有关OP580DA的更多详细信息,请联系我们。
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OP506W
输入功率(辐照度): 0.75 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP506W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息,请联系我们。
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OP802WSL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请联系我们。