- 加拿大
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集电极发射极电压(击穿)
Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)
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集电极发射极电压(饱和)
Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)
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集电极暗电流
Collector-Dark Current(nA)
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发射极集电极电压(击穿)
Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)
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导通状态集电极电流
On-State Collector Current(mA)
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波长(光谱灵敏度)
Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)
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OP775D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP775D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP775D的更多详情,请联系我们。
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OP535B
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情,请联系我们。
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OP535C
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情,请联系我们。
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OP300SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情,请联系我们。
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OP560A
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情,请联系我们。
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OP552D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息,请联系我们。
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OP505A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息,请联系我们。
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OP555D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息,请联系我们。
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OP302SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP505W
输入功率(辐照度): 0.75 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP505W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP505W的更多详细信息,请联系我们。
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OP538FB
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息,请联系我们。
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OP550A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息,请联系我们。
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OP555B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP555B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP555B的更多详情,请联系我们。
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OP565C
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP565C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通集电极电流为1.1 mA.有关OP565C的更多详情,请联系我们。
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OP705A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP705A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.95至12 mA.有关OP705A的更多详情,请联系我们。
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OP801WSL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,请联系我们。