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- 日本
- ROHM Semiconductor
参数:
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集电极发射极电压(击穿)
Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)
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集电极发射极电压(饱和)
Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)
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集电极暗电流
Collector-Dark Current(nA)
确定 取消 -
发射极集电极电压(击穿)
Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)
确定 取消 -
导通状态集电极电流
On-State Collector Current(mA)
确定 取消 -
波长(光谱灵敏度)
Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)
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RPM-22PB
安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 μA 发射极集电极电压(击穿): 5 VRohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有?1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。