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光电晶体管

已选
  • 中国台湾
  • 亿光电子
品牌:
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

    确定 取消
  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

    确定 取消
  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • PT204-6C 光电晶体管

    PT204-6C

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请联系我们。

  • PT5529B/L2/H2-F 光电晶体管

    PT5529B/L2/H2-F

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • PT2559B/L2/H2-F 光电晶体管

    PT2559B/L2/H2-F

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • PT204-6B 光电晶体管

    PT204-6B

    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂家：亿光电子
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请联系我们。