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光电晶体管

已选
  • 美国
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

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  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • BPV11F 光电晶体管

    BPV11F

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW76A 光电晶体管

    BPW76A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

  • XZRNI45S 光电晶体管

    XZRNI45S

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi45S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi45S的更多详细信息，请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管

    AP1608P1C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。

  • T5096P 光电晶体管

    T5096P

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 85 V

    Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管

    MTD8600N4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • BPV11 光电晶体管

    BPV11

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

  • T1090P6 光电晶体管

    T1090P6

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 80 V

    Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

  • L14F2 光电晶体管

    L14F2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 25 V

    来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请联系我们。

  • TEMT1030 光电晶体管

    TEMT1030

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

  • L-7113P3C 光电晶体管

    L-7113P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW85B 光电晶体管

    BPW85B

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3035A 光电晶体管

    NTE3035A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 60 V

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600N-T 光电晶体管

    MTD8600N-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为?5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • L14F1 光电晶体管

    L14F1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 25 V

    来自Light In Motion的L14F1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P2 光电晶体管

    L14P2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light in Motion的L14P2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为13 mA，功耗为300至600 MW.有关L14P2的更多详细信息，请联系我们。

  • WP3DP3BT 光电晶体管

    WP3DP3BT

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA，功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3120 光电晶体管

    NTE3120

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 20 V

    来自NTE Electronics，Inc的NTE3120是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为0.01至1 uA，集电极发射极电压（饱和）为1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA159 光电晶体管

    QSA159

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA159是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA159的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW85A 光电晶体管

    BPW85A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息，请联系我们。