光电查为您提供47个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

• 

  NX7563JB-BC

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7563JB-BC是一款激光二极管，波长为1530至1570 nm，输出功率为20至135 MW，输出功率为0.02至0.135 W，阈值电流为40至70 mA，工作温度为-20至85摄氏度。有关NX7563JB-BC的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX8369TB

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAs

  来自CEL的NX8369TB是波长为1290至1330nm的激光二极管，输出功率为0.63mW，输出功率为0至0.00063W，工作电压为0.5至2.2V，阈值电流为2至30mA.有关NX8369TB的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX8663JB-BC

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX8663JB-BC是一款激光二极管，波长为1645至1655 nm，输出功率为25至80 MW，输出功率为0.025至0.08 W，阈值电流为20至60 mA，工作温度为-20至65摄氏度。有关NX8663JB-BC的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7537BF-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7537BF-AA是一款激光二极管，波长为1520至1585 nm，输出功率为120至145 MW，输出功率为0.12至0.145 W，阈值电流为45至75 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7537BF-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7337BF-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7337BF-AA是一款激光二极管，波长为1280至1342.5 nm，输出功率为130至180 MW，输出功率为0.13至0.18 W，阈值电流为35至65 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7337BF-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX6514EH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX6514EH是一款激光二极管，波长为1530至1570 nm，输出功率为5 MW，输出功率为0至0.005 W，工作电压为1.1至1.6 V，阈值电流为10至50 mA.有关NX6514EH的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7335AN-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7335AN-AA是一款激光二极管，波长为1280至1352 nm，输出功率为10至40 MW，输出功率为0.01至0.04 W，阈值电流为8至30 mA，工作温度为0至60摄氏度。有关NX7335AN-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7337BJ-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7337BJ-AA是一款激光二极管，波长为1280至1342.5 nm，输出功率为75至180 MW，输出功率为0.075至0.18 W，阈值电流为35至65 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7337BJ-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7339BB-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7339BB-AA是一款激光二极管，波长为1280至1342.5 nm，输出功率为15至50 MW，输出功率为0.015至0.05 W，阈值电流为50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7339BB-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7437BF-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7437BF-AA是一款激光二极管，波长为1470至1510 nm，输出功率为40至90 MW，输出功率为0.04至0.09 W，阈值电流为15至50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7437BF-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7535AN-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7535AN-AA是一款激光二极管，波长为1470至1510 nm，输出功率为60至90 MW，输出功率为0.06至0.09 W，阈值电流为15至50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7535AN-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7535BN-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7535BN-AA是一款激光二极管，波长为1530至1570 nm，输出功率为15至30 MW，输出功率为0.015至0.03 W，阈值电流为5至25 mA，工作温度为0至60摄氏度。有关NX7535BN-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NV4V41SF

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  CEL的NV4V41SF是一款激光二极管，波长为400至405 nm，输出功率为600 MW，输出功率为0至0.6 W，阈值电流为140至180 mA，工作温度为0至30摄氏度。NV4V41SF的更多详细信息如下所示。

• 

  NX6308GH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX6308GH是波长为1290至1330nm的激光二极管，输出功率为20mW，输出功率为0至0.02W，工作电压为1.1至1.6V，阈值电流为10至45mA.有关NX6308GH的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NV4V31MF

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  CEL的NV4V31MF是一款激光二极管，波长为400至415 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。有关NV4V31MF的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NV4V31SF

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  CEL的NV4V31SF是一款激光二极管，波长为400至410 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。NV4V31SF的更多详细信息如下所示。

• 

  NX6352GP系列

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX6352GP系列是一款激光二极管，波长为1260至1360 nm，输出功率为8.5 MW，输出功率为0至0.0085 W，工作电压为2 V，阈值电流为7至30 mA.有关NX6352GP系列的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7338BF-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7338BF-AA是一款激光二极管，波长为1280至1342.5 nm，输出功率为50至110 MW，输出功率为0.05至0.11 W，阈值电流为50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7338BF-AA的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX7363JB-BC

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7363JB-BC是一款激光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为40至150 MW，输出功率为0.04至0.15 W，阈值电流为35至65 mA，工作温度为-20至65摄氏度。有关NX7363JB-BC的更多详细信息，请联系我们。

• 

  NX8349TB

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX8349TB是波长为1290至1330nm的激光二极管，输出功率为0.63mW，输出功率为0至0.00063W，工作电压为0.5至2.2V，阈值电流为2至30mA.有关NX8349TB的更多详细信息，请联系我们。