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  NX6240GP

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX6240GP是波长为1260至1280 nm的激光二极管，输出功率为8.5 MW，输出功率为0至0.0085 W，工作电压为2 V，阈值电流为8至30 mA.有关NX6240GP的更多详细信息，请联系我们。

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  NX7437AG-AA

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Fabry-Perot (FP) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX7437AG-AA是一款激光二极管，波长为1470至1510 nm，输出功率为40至90 MW，输出功率为0.04至0.09 W，阈值电流为15至50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7437AG-AA的更多详细信息，请联系我们。

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  NX6510GH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX6510GH是波长为1530至1570nm的激光二极管，输出功率为5mW，输出功率为0至0.005W，工作电压为1.1至1.6V，阈值电流为10至50mA.有关NX6510GH的更多详细信息，请联系我们。

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  NX6410GH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL公司的NX6410GH是一种波长为1481~1499nm，输出功率为14mW，输出功率为0~0.014W，工作电压为1.1~1.6V，阈值电流为3~40mA的激光二极管。有关NX6410GH的更多详细信息，请联系我们。

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  NX6353EP系列

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  CEL的NX6353EP系列是一款激光二极管，波长为1260至1360 nm，输出功率为8.5 MW，输出功率为0至0.0085 W，工作电压为2 V，阈值电流为7至30 mA.有关NX6353EP系列的更多详细信息，请联系我们。

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  NX6411GH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX6411GH是波长为1481至1499nm的激光二极管，输出功率为14mW，输出功率为0至0.014W，工作电压为1.1至1.6V，阈值电流为3至40mA.有关NX6411GH的更多详细信息，请联系我们。

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  NX6511GH

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：CEL

  技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

  来自CEL的NX6511GH是波长为1530至1570nm、输出功率为5mW、输出功率为0至0.005W、工作电压为1.1至1.6V、阈值电流为10至50mA的激光二极管。有关NX6511GH的更多详细信息，请联系我们。