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半导体激光器

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光电查为您提供1091个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 激光二极管FIDL-100M-685D 半导体激光器

    激光二极管FIDL-100M-685D

    德国

    FIDL-100M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光模块 fcgm-gd02-xxx 半导体激光器

    激光模块 fcgm-gd02-xxx

    德国

    激光??镕CGM-GD02-XXX。

  • Seminex高功率红外多模式激光器1475nm 20W 半导体激光器

    Seminex高功率红外多模式激光器1475nm 20W

    德国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 激光二极管flx-690-400m-50 半导体激光器

    激光二极管flx-690-400m-50

    德国

    FLX-690-400M-50是一款多模半导体激光二极管,在690nm处具有400mW连续输出功率??捎玫姆庾坝蠦-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米至CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管ftld-1517-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1517-10s

    德国

    FTLD-1517-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1517nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不灵敏。FTLD-1517-10S是CW单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳内置监控光电二极管和蝶形外壳内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30M-639B 半导体激光器

    激光二极管FIDL-30M-639B

    德国

    FIDL-30M-639B是基于GaInAlP多量子阱结构的639nm半导体激光器,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30M-639B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 激光二极管FLX-808-1200M-50 半导体激光器

    激光二极管FLX-808-1200M-50

    德国

    FLX-808-1200M-50是一款多模半导体激光二极管,在808nm处具有1200mW连续输出功率??捎玫姆庾拔狟-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米到CAN,TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管ftld-1200-05s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1200-05s

    德国

    FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • FELM-532-20T 半导体激光器

    FELM-532-20T

    德国

    法兰克福激光公司的FELM-532-20T是一款小型绿色DPSS激光器,在532nm处提供20 MW的输出功率。波长为532nm,输出窗口集成红外滤光片,色纯度高,单色性强。它有一个集成的光电二极管来测量输出功率,这使得它可以与APC电路一起使用,并实现高功率稳定性。来自激光器的光束具有2×2mm的尺寸,在两个方向上具有接近10°的发散度。它采用TO56 CAN(?5.6 X 6.5mm)封装。

  • 激光二极管ftld-1440-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1440-10s

    德国

    FTLD-1440-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1440nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1440-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FKLD-60S-640-40X 半导体激光器

    激光二极管FKLD-60S-640-40X

    德国

    FKLD-60S-640-40X是用MOCVD半导体激光器制备的640nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-60S-640-40X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FLX-665-1600M-300 半导体激光器

    激光二极管FLX-665-1600M-300

    德国

    FLX-665-1600M-300是一款多模半导体激光器。660nm连续输出功率1600mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-860-5000m-300 半导体激光器

    激光二极管flx-860-5000m-300

    德国

    FLX-860-5000M-300是一款多模半导体激光器。860nm连续输出功率5000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件应用程序。

  • 激光二极管ftld-1240-10s 半导体激光器

    激光二极管ftld-1240-10s

    德国

    FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.2W 半导体激光器

    Seminex高功率多模激光二极管1550nm 1.2W

    德国

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 激光二极管 fold-785-100s-vbg 半导体激光器

    激光二极管 fold-785-100s-vbg

    德国

    FOLD-785-100S-VBG是一种单模半导体激光器785nm连续输出100mW的二极管。由于集成的VBG波长固定,谱线宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-395-20S-AR初稿 半导体激光器

    激光二极管FVLD-395-20S-AR初稿

    德国

    FVLD-395-20S-AR是20mW的单模激光二极管395nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar涂层,该激光二极管特别适用于外腔激光器。

  • 激光二极管FIDL-30M-690D 半导体激光器

    激光二极管FIDL-30M-690D

    德国

    FIDL-30M-690D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的690nm半导体激光器,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30M-690D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 激光二极管FIDL-20S-800A-N 半导体激光器

    激光二极管FIDL-20S-800A-N

    德国

    FIDL-20S-800A-N是800nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-800A-N是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • FARL-5S-635-S33-APC LASER DIODE 635nm 5mW 半导体激光器

    FARL-5S-635-S33-APC LASER DIODE 635nm 5mW

    德国

    FARL-5S-635-S33-APCLASER二极管635nm 5mW。