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半导体激光器

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光电查为您提供1091个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • FBLD-940-18W-FC275-2Pin 半导体激光器

    FBLD-940-18W-FC275-2Pin

    德国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 纤维芯直径: 275um 光纤包层直径: 330um

    光纤耦合大功率激光二极管

  • Seminex高功率多模式激光芯片1310nm 6W 半导体激光器

    Seminex高功率多模式激光芯片1310nm 6W

    德国

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 激光二极管 faxd-1064-100s-BT 半导体激光器

    激光二极管 faxd-1064-100s-BT

    德国

    FAXD-1064-100S-BT是一种光纤耦合单模半导体激光器,在1064nm处连续输出功率为100mW。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FIDL-100S-850X 半导体激光器

    激光二极管FIDL-100S-850X

    德国

    FIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 0.6W 半导体激光器

    Seminex多模式激光芯片1550nm 0.6W

    德国

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 激光二极管FIDL-5S-808X 半导体激光器

    激光二极管FIDL-5S-808X

    德国

    FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-1064X 半导体激光器

    激光二极管FIDL-5S-1064X

    德国

    FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 faxd-975-7.5w-fc200 半导体激光器

    激光二极管 faxd-975-7.5w-fc200

    德国

    FAXD-975-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为7.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,并适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-900-2000m-100 半导体激光器

    激光二极管flx-900-2000m-100

    德国

    FLX-900-2000M-100是一款多模半导体激光器。900nm连续输出功率为2000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米到CAN,TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FIDL-100M-650D 半导体激光器

    激光二极管FIDL-100M-650D

    德国

    FIDL-100M-650D是用MOCVD半导体激光器制作的650nm AlGaInP量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-650D光源是CW多模注入半导体激光二极管,提供带集成PD的9毫米外壳。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 激光二极管 faxd-980-350s-xx 半导体激光器

    激光二极管 faxd-980-350s-xx

    德国

    FAXD-980-350S-XX是一种单模半导体激光器在980nm处具有350mW连续输出功率的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FVLD-462-1400M 半导体激光器

    激光二极管FVLD-462-1400M

    德国

    FVLD-462-1400M是一款多模激光二极管,连续输出功率为1.4W。输出功率为462nm。它在一个9毫米的罐子里供应,带有内置的静电?;ぷ爸?。该激光二极管适用于各种光电子器件应用程序。

  • 激光二极管FIDL-10S-940X 半导体激光器

    激光二极管FIDL-10S-940X

    德国

    FIDL-10S-940X是采用MOCVD半导体激光器制作的940nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-10S-940X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

  • Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1650nm 12W 半导体激光器

    Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1650nm 12W

    德国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 激光二极管 faxd-785-1w-100-vbg 半导体激光器

    激光二极管 faxd-785-1w-100-vbg

    德国

    FAXD-785-1W-100-VBG是一种多模半导体。785nm连续输出1W激光二极管。由于集成的体光栅,波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-635-1200m-300 半导体激光器

    激光二极管flx-635-1200m-300

    德国

    FLX-635-1200M-300是一款多模半导体激光器。在635nm处具有1200mW连续输出功率的二极管??捎玫姆庾鞍˙-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件应用程序。

  • 激光二极管FNLD-100S-1060X 半导体激光器

    激光二极管FNLD-100S-1060X

    德国

    FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • FFL-0.35W-635-C 半导体激光器

    FFL-0.35W-635-C

    德国

    Frankfurt Laser公司的FFL-0.35W-635-C是一种激光二极管,波长为635 nm,输出功率为0.35~0.5 W,工作电压为2.2 V,工作电流为0.85~1.4 A,阈值电流为800~800 mA.有关FFL-0.35W-635-C的更多详细信息,请联系我们。

  • 激光二极管flx-1350-1500m-150 半导体激光器

    激光二极管flx-1350-1500m-150

    德国

    FLX-1350-1500M-150是一款多模半导体激光二极管,在1350nm处具有1500mW连续输出功率。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它适用于各种光电应用。

  • Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1315nm 62W 半导体激光器

    Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1315nm 62W

    德国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。