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半导体激光器

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  • Leonardo Electronics US
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光电查为您提供55个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • LT1020 760-830纳米 半导体激光器

    LT1020 760-830纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 760-830nm是一种激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为20至80W，工作电压为1.8至2V，工作电流为0.5至8.5A，阈值电流为100至700mA.LT1020 760-830 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1020 830-1100纳米 半导体激光器

    LT1020 830-1100纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.LT1020 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1030 760 - 830 纳米 半导体激光器

    LT1030 760 - 830 纳米

    美国

    美国莱昂纳多电子公司（Leonardo Electronics US）的LT1030 760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1030 760-830 nm的更多详细信息。

  • LT1030 830 - 1100 纳米 半导体激光器

    LT1030 830 - 1100 纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics公司的LT1030 830-1100 nm是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.LT1030 830-1100 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • LT1040 760 -830 -1100纳米 半导体激光器

    LT1040 760 -830 -1100纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics公司的LT1040 760-830-1100 nm是波长为830至1100 nm的激光二极管，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830-1100 nm的更多详细信息。

  • R1 - QCW 半导体激光器

    R1 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息，请联系我们。

  • R5 - QCW 半导体激光器

    R5 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的R5-QCW是一种激光二极管，波长为830~1100nm，输出功率为80~100W，工作电压为1.85~2V，工作电流为95~330A，阈值电流为10000~28000mA.R5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • R5 半导体激光器

    R5

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的R5是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R5的更多详细信息，请联系我们。

  • S1 - QCW 半导体激光器

    S1 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。

  • S1 半导体激光器

    S1

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S1是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1的更多详细信息。

  • S12 半导体激光器

    S12

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    Leonardo Electronics US的S12是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S12的更多细节可以在下面看到。

  • S14 - QCW 半导体激光器

    S14 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S14 半导体激光器

    S14

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自美国Leonardo Electronics的S14是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.有关S14的更多详细信息，请联系我们。

  • S15 - QCW 半导体激光器

    S15 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S15-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S15-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S15 半导体激光器

    S15

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    Leonardo Electronics US的S15是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S15的更多细节可以在下面看到。

  • S16 - QCW 半导体激光器

    S16 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S16-QCW是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为100至150 W，工作电压为2 V，工作电流为105至165 A，阈值电流为10000至14000 mA.S16-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 - QCW 半导体激光器

    S2 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S2-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S2-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 半导体激光器

    S2

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自美国Leonardo Electronics的S2是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为80至100W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S2的更多细节可以在下面看到。

  • S25 半导体激光器

    S25

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自美国Leonardo Electronics的S25是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为80至120W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.有关S25的更多详细信息，请联系我们。

  • S4 半导体激光器

    S4

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自美国Leonardo Electronics的S4是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S4的更多细节可以在下面看到。