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半导体激光器

已选
  • Leonardo Electronics US
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光电查为您提供55个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • S5 - QCW 半导体激光器

    S5 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S5-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S5 半导体激光器

    S5

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司生产的S5是一种激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S5的更多细节可以在下面看到。

  • S6 半导体激光器

    S6

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S6是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为2.1 V，工作电流为85至120 A，阈值电流为7000至10000 mA.S6的更多细节可以在下面看到。

  • S7 - QCW 半导体激光器

    S7 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S7-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至150 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S7-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S7 半导体激光器

    S7

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自Leonardo Electronics US的S7是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S7的更多细节可以在下面看到。

  • S9 - QCW 半导体激光器

    S9 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S9-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S9-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S9 半导体激光器

    S9

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    Leonardo Electronics US的S9是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至150W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S9的更多细节可以在下面看到。

  • T12 - 水 半导体激光器

    T12 - 水

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的T12-Water是一种激光二极管，波长为830~1100nm，输出功率为0.5~8W，工作电压为1.85~1.9V，工作电流为90~125A，阈值电流为15000~22000mA.T12-水的更多细节可以在下面看到。

  • T12 半导体激光器

    T12

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的T12是一种激光二极管，其波长为760至830 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.9至2 V，工作电流为90至125 A，阈值电流为15000至22000 mA.T12的更多细节可以在下面看到。

  • T3 - 水 半导体激光器

    T3 - 水

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司生产的T3-Water是一种激光二极管，波长为830~1100nm，输出功率为30~40W，工作电压为1.85~1.9V，工作电流为90~125A，阈值电流为15000~22000mA.T3-水的更多细节可以在下面看到。

  • T3 半导体激光器

    T3

    美国
    巴条配置: Vertical Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的T3是一种激光二极管，其波长为760至830 nm，输出功率为30至40 W，工作电压为1.9至2 V，工作电流为90至125 A，阈值电流为15000至22000 mA.T3的更多细节可以在下面看到。

  • T6 - 水 半导体激光器

    T6 - 水

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的T6-Water是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为200至1000 W，工作电压为1.85至1.9 V，工作电流为90至125 A，阈值电流为15000至22000 mA.T6-水的更多细节可以在下面看到。

  • T6 - 流体 半导体激光器

    T6 - 流体

    美国
    电源转换效率: 25%, 56%, 58% 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的T6-Fluid是一种激光二极管，波长为760至1700 nm，工作电压为1.7至2 V，工作电流为90至550 A.T6-Fluid的更多详情见下文。

  • 未装配的条状物 760 - 830 纳米 半导体激光器

    未装配的条状物 760 - 830 纳米

    美国
    半导体激光器巴条: Yes

    来自美国Leonardo Electronics的未安装的760-830nm棒是波长为830至1100nm的激光二极管，输出功率为20至80W，工作电压为1.85至2V，工作电流为20至90A，阈值电流为10000至28000mA.关于未安装的760-830 Nm钢筋的更多详细信息，请联系我们。

  • 未装配的芯片 760 - 830 纳米 半导体激光器

    未装配的芯片 760 - 830 纳米

    美国
    激光增益介质: GaAs

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管，输出功率为0.5至8W，工作电压为1.8至2V，工作电流为0.5至8.5A，阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。