研究目的
通过脉冲加热模式研究降低AlGaN/GaN光电探测器衰减时间的方法。
研究成果
脉冲加热法能有效缩短AlGaN/GaN异质结构光电探测器的衰减时间，相比直流加热具有显著优势。这一进展对研制高精度、快速响应/恢复的紫外探测器至关重要。
研究不足
本研究仅限于AlGaN/GaN异质结构光电探测器，可能不直接适用于其他材料或结构。脉冲加热的有效性是在特定条件下评估的，可能随不同参数而变化。
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利用脉冲加热抑制AlGaN/GaN异质结构光电探测器的持续光电导现象
DOI：10.7567/1882-0786/ab4f5b
期刊：Applied Physics Express
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本文展示了一种通过脉冲加热模式缩短AlGaN/GaN光电探测器衰减时间的方法。我们制备了集成微加热器的悬浮式AlGaN/GaN异质结构光电探测器，并在紫外光照射下进行表征。研究发现，施加脉冲加热能有效加速持续光电导（PPC）过程。在相同功率（280 mW）条件下，衰减时间从直流加热的175秒显著缩短至50赫兹脉冲加热的116秒。当采用相同脉冲占空比和50赫兹脉冲加热频率时，与直流加热相比，衰减时间减少了30-45%。
作者：
Jianwen Sun，Teng Zhan，Zewen Liu，Junxi Wang，Xiaoyan Yi，Pasqualina M. Sarro，Guoqi Zhang
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