研究目的
展示了一款采用硅光工艺制造的锗光电探测器，并通过板上芯片封装方式集成在印刷电路板上的100 Gbps（4×25 Gbps）光接收?？椤?/p>
研究成果
采用锗光电探测器和板上芯片封装技术的100Gbps（4×25Gbps）光接收?？橐殉晒ρ菔尽８媚？檎瓜殖鲈诔?00Gbps更高数据速率光模块中应用的潜力。
研究不足
该研究的局限性在于板上芯片封装中的射频和光学损耗，这些损耗对高速运行至关重要。键合线长度和数量以及印刷电路板材料和设计是影响信号完整性的关键因素。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过硅光工艺制备锗光电探测器，并采用板上芯片方式将其与跨阻放大器封装于印刷电路板。使用高频仿真工具HFSS进行版图优化。
2：样本选择与数据来源：
锗光电探测器采用IME硅光技术平台制备，光学输入通过透镜光纤耦合至锗光电探测器的边缘耦合器提供。
3：实验设备与材料清单：
高阻硅绝缘体(SOI)晶圆、用于印刷电路板的罗杰斯RT5880介质材料、直径1密耳的金键合线，以及用于信号输出的SMA连接器。
4：实验流程与操作步骤：
将锗光电探测器和跨阻放大器芯片贴装于印刷电路板，通过金线键合和传输线互连。采用主动对准方法进行光纤耦合。
5：数据分析方法：
通过电光S参数测量进行带宽分析，通过光电流测量进行信号完整性分析，并在25Gbps速率下测量眼图。
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