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P-9.3：具有1984 ppi的单色蓝色微LED阵列的呈现

DOI：10.1002/sdtp.13672 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 分别制备了基于硅和蓝宝石衬底的蓝色InGaN/GaN微LED阵列。在960×540像素的LED阵列中，具有12.8微米像素间距的LED芯片共用一个公共n电极接触点。对于8微米台面尺寸的单个LED芯片，驱动电流可高达20毫安，这表明其电流密度甚至远超高功率照明应用中的LED器件。同时，在-5V偏压下，单个8微米尺寸LED芯片的反向漏电流低于10皮安，处于InGaN/GaN LED正常漏电流水平范围内?；菇辛薒ED阵列与测试背板之间的热压键合工艺以实现I-V-L测试，并展示了LED阵列的测试结果。
作者： Enqing Guo，Lei Mi，Yan Wang，Bo Chen，Wenya Tian，Haiyan Liu，Qing Li，Chenggong Wang，Rubo Xing
AI智能分析
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究用于增强现实（AR）应用的高像素密度（ppi）单色蓝光微发光二极管（Micro-LED）阵列的制备与性能。

研究成果

这款8微米尺寸的LED可在20毫安电流下驱动，表明其电流密度甚至远超高功率照明应用中的LED器件。在-5V偏压下的漏电流低于10皮安，满足显示应用要求。由于电流效率变化范围较大，数字驱动模式可能是Micro-LED显示屏的适宜驱动方式。

研究不足

LED制造工艺受光刻精度限制，难以满足小于10微米的LED芯片制造要求。当前微LED阵列的效率存在较大波动范围，在显示应用中需要驱动IC进行复杂运算。

SCI高频之选
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