研究目的
通过在硅上集成SC CH3NH3PbBr3钙钛矿，展示具有更宽光电探测范围和更短响应时间的钙钛矿光电探测器，以推动钙钛矿集成光电器件的发展。
研究成果
硅/溴化铅甲脒异质结光电探测器展现出高性能，具有宽光谱响应范围（405纳米至1064纳米）、高达5.9×101?琼斯（Jones）的探测率以及520纳秒的超短上升时间。该器件表现出优异的长期稳定性和成像能力，显示出其在下一代集成光电子技术中的应用潜力。
研究不足
响应时间差异受设备尺寸和电极制备的影响。该研究聚焦于钙钛矿在硅上的集成，并未探索其他衬底材料。
1：实验设计与方法选择：
采用优化的反溶剂蒸汽辅助结晶法（OAVC）将SC MAPbBr3集成于硅基底上。
2：样品选择与数据来源：
以n型硅晶圆作为衬底。
3：实验设备与材料清单：
CH3NH3Br、PbBr2、DMF、CH2Cl2、金电极。
4：DMF、CH2Cl金电极。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：将硅晶圆置于MAPbBr3/DMF溶液中，随后通过CH2Cl2蒸汽缓慢扩散在硅上生长SC钙钛矿，再沉积金电极。
5：数据分析方法：
采用半导体参数分析系统进行电学测量，并评估光电探测器性能。
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