研究目的
研究某种特定草药对特定疾病的治疗效果。
研究成果
总之,通过原位法成功合成了CdS纳米线/氧化锌纳米墙异质结构,并系统研究了其紫外-可见光探测性能。基于CdS纳米线的光电探测器在可见光(460nm)照射下表现出4.3的暗电流/亮电流比。与单纯的CdS纳米线和氧化锌纳米墙相比,CdS纳米线/氧化锌纳米墙异质结构在光响应性能上(尤其是紫外光照条件下)显示出显著提升。这是因为不仅光生载流子在CdS纳米线与氧化锌纳米墙的特殊界面处能有效分离,而且由于紧密接触使CdS纳米线到氧化锌纳米墙的间距缩短,从而加快了电荷传输速率。我们的结果表明,通过原位合成法设计的定制化CdS纳米线/氧化锌纳米墙异质结构是极具前景的光电探测器电极材料。
研究不足
实验的技术和应用限制,以及潜在的优化领域。
1:实验设计与方法选择:
垂直排列的ZnO纳米墙模板通过简易溶液法合成。CdS纳米线采用简单的化学浴沉积法沉积。
2:样品选择与数据来源:
分别以CdCl?和硫脲(H?NCSNH?)作为镉(Cd)和硫(S)的前驱体,氨水(NH?)作为络合剂。
3:实验设备与材料清单:
场发射扫描电子显微镜(FESEM,FEI QUAANTA400)、透射电子显微镜(TEM,JEM-2010)。使用紫外-可见漫反射分光光度计(Varian Cary 500)记录紫外-可见吸收光谱。
4:0)、透射电子显微镜(TEM,JEM-2010)。使用紫外-可见漫反射分光光度计(Varian Cary 500)记录紫外-可见吸收光谱。 实验步骤与操作流程:
4. 实验步骤与操作流程:将制备好的ZnO纳米墙浸入溶液中,静置20分钟后,黄色CdS纳米线沉积于ZnO纳米墙的多孔结构中。随后用纯去离子水冲洗电极,并在室温常压下干燥。最后将样品在空气中420℃退火1小时。
5:数据分析方法:
光阻响应特性通过CGS-1TP进行测量和记录。
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Field emission scanning electron microscopy
FEI QAUANTA400
FEI
Detailed microscopic structures characterization
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Transmission electron microscopy
JEM-2010
JEOL
Detailed microscopic structures characterization
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UV–vis diffuse reflectance spectrophotometer
Varian Cary 500
Varian
Recording UV–vis absorption spectra
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Photoluminescence spectroscopy
Recording photoluminescence spectroscopy
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CGS-1TP
Measuring and recording the photo resistance response properties
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