研究目的
研究由陡峭上升沿高压脉冲引发的硅和硒化锌体半导体结构的亚纳秒级雪崩开关效应。
研究成果
陡峭的高压脉冲可引发具有平面圆盘几何结构和大面积欧姆接触的体半导体样品产生可控且可重复的100皮秒雪崩开关效应。该方法可用于在广泛的半导体材料中产生非平衡电子-空穴等离子体。
研究不足
实验未能对钟形触发脉冲实现成功的雪崩开关效应，该脉冲采用此前二极管实验中使用的有效电压斜率2–8千伏/纳秒。
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陡峭高压脉冲触发的体半导体皮秒级雪崩开关
DOI：10.1109/TPS.2018.2875423
期刊：IEEE Transactions on Plasma Science
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
报道了由陡峭（dU/dt > 10 kV/ns）高压脉冲触发的硅和硒化锌体半导体结构亚纳秒雪崩开关的实验观测与数值模拟。实测开关时间约100皮秒。该开关过程具有可持续性、重复性且抖动可忽略。实验与数值结果的对比表明：开关后整个器件体积内均匀充满非平衡电子-空穴等离子体。
作者：
Viktor I. Brylevskiy，Irina A. Smirnova，Natalia I. Podolska，Yulia A. Zharova，Pavel B. Rodin，Igor V. Grekhov
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