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半导体制造中监测过量零计数颗粒的统计过程控制

DOI：10.1109/TSM.2018.2882862 期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 在现代半导体制造中，某类测量的粒子计数数据存在过量零值现象，测量中零值比例通常超过50%。这类粒子计数样本数据无法通过泊松分布、零膨胀泊松分布（ZIP）、广义分布（GZIP）、内曼分布及伽马-泊松分布等常用缺陷模型进行良好建模。本文提出阈值-泊松模型来描述具有过量零计数的粒子，并开发了参数估计方法。通过使用15组实测样本与这些常用模型对比，表明阈值-泊松模型能更好地拟合测量数据。同时提出名为阈值-c控制图的控制图方法并推导出控制限，基于模拟研究还讨论了构建控制图的合理最小样本量。
作者： Wenxing Tian，Hailong You，Chunfu Zhang，Sheng Kang，Xinzhang Jia，Wei-Ting Kary Chien
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一个阈值泊松模型，用于描述半导体制造中存在过多零计数的粒子，并开发一种参数估计方法，将其性能与常用缺陷模型进行比较。

研究成果

阈值泊松模型能有效描述半导体制造中存在过量零值的粒子计数数据，在决定系数、AIC和BIC指标上优于其他常用模型。所提出的阈值c控制图及最小样本量确定方法，为洁净室粒子计数监测提供了实用工具。

研究不足

该研究聚焦于半导体制造中存在过量零值的粒子计数数据，这可能限制其应用于其他类型数据或行业。阈值泊松模型的性能与一组选定模型进行了比较，本研究可能未考虑其他模型。

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