1：实验设计与方法选择：

本研究采用原子层沉积（ALD）技术制备径向纳米异质结，因其能制备厚度可控、均匀且共形的薄膜。p型ZnSe纳米线通过热蒸发法合成，并利用ALD沉积CdS壳层。

2：样品选择与数据来源：

p型ZnSe纳米线由ZnSe和磷粉末合成。样品通过扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）和能谱仪（EDS）进行形貌、结构和成分分析。

3：实验设备与材料清单：

设备包括用于热蒸发的管式炉、ALD系统（剑桥纳米科技Savannah 100 & 200）、场发射扫描电镜（FEI SIRION 200 FEG）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2010）、X射线衍射仪（Rigaku D/Max-Rb）和半导体特性分析系统（Keithley 4200-SCS）。材料包括ZnSe粉末（Aldrich，99.99%）、磷粉末（Aladdin，99.99%）、二甲基镉（Nata，99.9999%）、硫代乙酰胺（Sigma-Aldrich，99.0%）、氮气、带金膜的硅衬底、钛和金电极材料、稀盐酸蚀刻液以及用于照明的蓝/紫激光（70 mWcm^{-2}）。

4：0）、场发射扫描电镜（FEI SIRION 200 FEG）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2010）、X射线衍射仪（Rigaku D/Max-Rb）和半导体特性分析系统（Keithley 4200-SCS）。材料包括ZnSe粉末（Aldrich，99%）、磷粉末（Aladdin，99%）、二甲基镉（Nata，9999%）、硫代乙酰胺（Sigma-Aldrich，0%）、氮气、带金膜的硅衬底、钛和金电极材料、稀盐酸蚀刻液以及用于照明的蓝/紫激光（70 mWcm^{-2}）。 实验步骤与操作流程：

4. 实验步骤与操作流程：p型ZnSe纳米线通过热蒸发法合成。ALD用于控制循环次数沉积CdS壳层。器件通过光刻、电子束蒸发、溅射和湿法蚀刻制备。光电测量在黑暗和光照条件下进行。

5：数据分析方法：

电学特性通过Keithley 4200-SCS分析。响应度、增益、探测率和功率转换效率等参数通过标准公式从电流-电压和电流-时间曲线计算得出。