1：实验设计与方法选择：

本研究采用金属接触的EuBiSe3单晶设计光热电探测器，利用光热电效应实现无带隙限制的宽带探测。方法包括晶体合成、器件制备及光电响应表征。

2：样品选择与数据来源：

通过火法冶金工艺合成EuBiSe3晶体，选取针状晶体进行器件制备。数据采集自紫外至太赫兹波段多种激光源的测量结果。

3：实验设备与材料清单：

设备包括场发射扫描电子显微镜（MERLIN Compact FE-SEM，卡尔蔡司）、高分辨透射电子显微镜（JEOL JEM-2010）、粉末X射线衍射仪（布鲁克D8 Advance）、单晶X射线衍射仪（Supernova，理学-牛津衍射）、拉曼光谱仪（LabRAM HR Evolution，堀场Jobin Yvon）、源表（吉时利2602B）、光学低温恒温系统（ST-100，Janis研究公司）、网络信号分析仪（SR780，斯坦福研究系统）和红外相机（大立科技有限公司，DL700）。材料包括EuBiSe3晶体、金电极、玻璃基底、高阻硅基底及多种激光器。

4：0）、粉末X射线衍射仪（布鲁克D8 Advance）、单晶X射线衍射仪（Supernova，理学-牛津衍射）、拉曼光谱仪（LabRAM HR Evolution，堀场Jobin Yvon）、源表（吉时利2602B）、光学低温恒温系统（ST-100，Janis研究公司）、网络信号分析仪（SR780，斯坦福研究系统）和红外相机（大立科技有限公司，DL700）。材料包括EuBiSe3晶体、金电极、玻璃基底、高阻硅基底及多种激光器。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：通过SEM、TEM、XRD和拉曼光谱对晶体进行合成与表征。在晶体端部沉积金电极完成器件制备。采用不同波长激光照射测量光电响应，同步监测入射功率。在空气、真空、低温等环境中开展扫描光电压、时间响应及热电测量。

5：数据分析方法：

采用线性拟合分析响应度，指数拟合分析响应时间，结合理论模型计算热衰减长度与等效噪声功率。统计技术包含与文献值对比分析。