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[IEEE 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Kyoto, Japan (2019.6.9-2019.6.10)] 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Error Crrection for Read-hot Data in 3D-TLC NAND Flash by Read-disturb Modeled Artificial Neural Network Coupled LDPC ECC

DOI：10.23919/SNW.2019.8782950 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： Read-disturb Modeled Artificial Neural Network Coupled LDPC ECC (RDNN-LDPC) is proposed to correct errors of read-hot data for 3D-TLC NAND flash. Conventional ANN-LDPC is optimized to correct errors of read-cold data. However, ANN-LDPC does not correct errors of read-hot data. To correct errors of read-hot data, this paper analyzes how input parameter and model change. As a result, measured results of proposed RDNN-LDPC extend acceptable read cycle of 3D-TLC NAND flash by 10-times.
作者： Daiki Kojima，Toshiki Nakamura，Ken Takeuchi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

To correct errors of read-hot data in 3D-TLC NAND flash by proposing a Read-disturb Modeled Artificial Neural Network Coupled LDPC ECC (RDNN-LDPC).

研究成果

The proposed RDNN-LDPC effectively corrects read-disturb errors in 3D-TLC NAND flash, extending acceptable read cycles by 10-times compared to conventional ANN-LDPC.

研究不足

The study focuses on read-hot data error correction in 3D-TLC NAND flash, potentially limiting applicability to other types of flash memory or error types.

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