Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots

DOI：10.1103/PhysRevB.100.115424 期刊：Physical Review B 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04

摘要： Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the con?nement potentials for k (cid:2)= 0 and k = 0 conduction and k = 0 valence bands, through the formulation of k · p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of (cid:2) transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.

关键词： excitonic structure quantum dots electronic structure quantum gates quantum information technology

作者： Petr Klenovsky，Andrei Schliwa，Dieter Bimberg

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研究概述实验方案

研究目的

Investigating the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots for applications in quantum information technology.

研究成果

The study concludes that (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are potentially more useful for quantum information technology applications than (In,Ga)As/GaAs quantum dots, despite the presence of k-indirect transitions.

研究不足

The study is theoretical and does not include experimental validation. The impact of intervalley coupling and the calculation of L/X to (cid:2) transition probabilities are left for future investigations.

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